杂质浓度相关论文
针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论
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本文用解析的方法研究了应变P型Si_(1-x)Gex层中载流子冻析现象．研究发现，用Si归一化的Si(1-x)Gex价带有效态密度，随x的增加而减小，而......
通过实验研究表明:不同预处理方法对KOH腐蚀后硅片表面粗糙度的影响不同,分别用35℃的BOE(7:1氟化铵腐蚀液)、常温BOE、10:1HF、50......
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,......
使用Silvaco软件建立了背照式CCD仿真模型,利用该模型进行了工艺和器件仿真,研究了背面减薄、背面掺杂、界面陷阱和增透膜对背照式......
重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺......
本文叙述了合成溶质(固体红磷)扩散法生长磷化镉(CdP_2)。经X射线分析证明,合成的化合物为CdP_2。用它作扩散源,在杂质浓度为8×10......
到目前为止,极大多数的分立元件和集成电路的制造都是采用液态三溴化硼或者汽态乙硼烷作为硅热扩散的 P 型扩散源。这两种方法都......
在集成电路的生产中,已广泛采用氮化硼扩散源、新型片状氮化硼也正被推广应用,用氮化硼做扩散源,具有工艺稳定、易于掌握、扩散电......
在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法......
在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩......
采用涂层铝扩散基区工艺的低频大功率管集电结反向击穿特性,容易出现负阻现象.对发生负阻击穿时的芯片作表面观察,看到了与发射结......
现代的微电子器件,在重掺杂的硅材料上的自对准结构中采用过渡金属。在硅化物生成期间或生成之后的热处理可能使作基础的硅层中的......
(一)砷化镓单晶中微沉淀物的EDS检测在早期的工作中曾对Ga As:Te和Ga As:Si中微缺陷的结构性质及其与杂质浓度的关系作了TEM研究,......
本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这......
在双层、异型硅外延中，通常采用预通掺杂剂二步外延法。本文对掺杂剂预通过程中产生的气一固扩散进行理论及实验研究，分析了预通条件......
本文针对某铜冶炼厂污酸杂质浓度高的情况，使用硫化法污酸处理工艺，在设备设施无较大投入的前提下，通过一定的工艺调整、挖潜改造......
采用燃烧合成法制备碳化硅(SiC)粉料,调整氢气和氩气体积流量比以及高纯氯化氢气体体积流量,使氮、铝和钒浓度低于二次离子质谱仪......
随着世界经济的发展、科学技术的进步,人类对材料性能的要求越来越高,其中材料的表面润湿性质尤为突出。受自然界中动植物表面自清......
为了改善压粉铁芯用还原铁粉的磁导率和减小其性能偏差,研究了还原铁粉的粉体特性、杂质浓度、夹杂物、压粉体金属组织与压粉铁芯......
采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测......
简化的突变结或线性缓变结模型已能很好地近似二极管p-n结杂质浓度分布规律,但从精密的实验测量结果中发现传统模型存在局限性.基......
扩散技术在工业制作的各个方面有重大的作用,在电子技术上的应用以晶体管最为显著。本文就简要介绍如何应用三重扩散工艺生产大功......
用气相输运法制备了准一维结构的NbSe3单晶,并研究了其剩余电阻率与杂质的关系.在电子扫描电镜(SEM)下观测了NbSe3单晶的表面形貌,......
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici研究了深亚微米槽栅PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响,......
掺As衬底外延片很大部分用于肖特基器件,器件对正向压降要求越来越高,因此对外延层参数之一的过渡区宽度提出了更高要求。讨论了影......
近几年来,用冶金法提纯冶金级硅,制造太阳能级多晶硅取得了可喜的成绩,但是,硅料中杂质的彼此影响和杂质浓度对电池转化效率的作用......
综述了用扫描电镜的二次电子像获得掺杂半导体衬度剖析的方法.实验发现掺杂半导体扫描电镜像对杂质浓度的灵敏度可以达到1016cm-3,......
采用双晶X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的As^+／N2^+组合离子注入Si的衍射曲线，借助X射线衍射的运动学理论和离子注入......
托卡马克等离子体与装置第一壁材料的相互作用会产生杂质粒子,并通过输运进入芯部等离子体,这会稀释聚变等离子体同时产生大量辐射......
外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数.文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过......
基于杂质浓度分布的突变结或线性缓变结模型，二极管p-n结（电）容一（电）压关系可简单地由C-V幂律描述。精密的实验测量数据显示，采用指数n=......
评价合金钢的回火脆性,最常用的方法是采用V型缺口夏氏冲击试验。一般用脆性转变温度表示。俄歇技术证实,在相同硬度和晶粒度的条......
<正> 一、前言扩散型压力传感器已有不少报导。本文介绍的多晶硅薄膜压力传感器则具有许多不同点。例如,感知变形的为多晶硅薄膜、......
<正> 在过去二十年中,由于位错浸蚀技术在研究具有岩盐结构的物质,特别是MgO和LiF方面的应用,使人们在认识形变的详细机理方面有了......
工业锅炉在日常使用中，随着锅内介质（水）的沸腾和蒸发，水中的杂质浓度达到饱和时便有固态物质析出，形成水渣和水垢，水垢聚集的地方会造成......
采用数值模拟方法计算了HL-2A装置上电荷交换复合谱和束发射谱的强度,并根据两种光谱的比值得到碳和氦杂质的浓度,与初始假设对比......
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当工艺上采取必要的表面钝化技术使β随集电极电流I_c人的减小下降较小时,如何提高β的最大值(?)_(max),对超高β晶体管来说,是极......
本文讨论用机械的和化学的方法制备砷化镓晶体表面。利用不同的化学腐蚀剂对逐次抛光过程中的各表面进行对比研究。用显微法定性地......
杂质颗粒引起超声波在水等流体中衰减,会影响超声波流量计测量精度。本研究基于圆球的辐射声压公式的理论,探究了杂质颗粒对超声波......
通过对现有单面扩散工艺的分析论证，提出了一种可在进出舟、氧化、预扩散、再分布、降温等步骤上缩短单面扩散工艺时间的方法，时间可......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
