CACU3TI4O12相关论文
介绍了晶体的能带理论及将第一性计算用于计算机的密度泛函理论。对本课题组在钙钛矿结构巨介电常数材料CaCu3Ti4O12方面的研究做......
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CaCu3Ti4O12（简称CCTO）基介电陶瓷凭借高介电常数和高热稳定性等优异性能在电子元器件小型化和储能方面具有巨大应用潜力，并成为电介......
CaCu3Ti4O12（CCTO）因其良好的介电响应和优异的压敏性能,近年来迅速在电容-压敏双功能材料领域掀起一股研究热潮。微电子器件功能一......
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CaCu3Ti4O12（以下简称CCTO）陶瓷是一种新型的高介电常数材料,其介电常数高达104以上,在100K600K的温度范围和102105Hz的频率范围内,......
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CaCu3Ti4O12（以下简称CCTO）陶瓷是一种具有钙钛矿结构的材料,其介电常数在102105Hz的频率范围内几乎不变。除了具有典型的TiO6八面体......
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宽的频率和温度范围内,具有高介电常数和低介电损耗的材料能够应用于微型电子的集成化和小型化微电子器件,如电容器、谐振器和滤波......
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CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷具有极高的介电常数,优异的频率及温度稳定性,使其在小型化电子器件中有极大的潜在作用,受到了国内外研究者广......
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CaCu3Ti4O12（简称CCTO）基介电陶瓷凭借高介电常数和高热稳定性等优异性能在电子元器件小型化和储能方面具有巨大应用潜力,并成为电介......
以CaCu3Ti4O12为原料,采用溶胶-凝胶法制备CaCu3Ti4-3/4zFezOn(CCTFO)和Ca1-3/2xLaxCu3-yMgyTi4O12(CLCMTO)前驱粉体,以聚偏氟乙烯......
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利用传统固相反应陶瓷生产工艺制备了高介电常数材料CaCu3Ti4O12陶瓷。对在空气中1100℃烧结24h的CaCu3Ti4O12陶瓷的阻抗、电学模......
介电材料是指利用材料的介电性质制造电容类器件的电子材料，被广泛应用于电容器、滤波器、谐振器和动态存储器等电子元器件，是通讯、......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
CaCu3Ti4O12(CCTO)是近年被广泛关注的一种非铁电性的新型高介电氧化物,采用传统的固相反应,通过对反应温度和恒温时间的组合,成功......
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利用传统的固相反应工艺,在不同的烧结温度下制备了一系列的CaCu3Ti4O12陶瓷样品,考察了其微观结构以及介电和复阻抗方面的电学性......
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用固相反应法和脉冲激光沉积(PLD)制备了CaCu3Ti4O12块材和薄膜,获得了相对介电常数ε′(1kHz,300K)高于14000的介电特性,是目前该......
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采用溅射方法成功地制备了CaCu3Ti4O12薄膜,用原子力显微镜、x射线衍射(XRD)仪和LCR分析仪对样品进行形貌、物相结构和介电性质的......
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基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面波方法,研究静水压对CaCu3Ti4O12(以下简称CCTO)能带结构、态密度及介电性能的影响,建......
首先通过一步包覆法将绝缘性的SrTiO3和助烧剂ZBSO的复合物包覆于CaCu3Ti4O12粉体表面,以降低其介电损耗,同时在较低的烧结温度获......
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用溶胶．凝胶（Sol-gel）技术及柠檬酸自燃法，成功制备了新型的纳米CaCu3Ti4O12氧化物超细粉体。将得到的超细粉体压块，并在1000℃高温烧结......
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CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷具有高介电常数,研究掺杂离子对其结构和性质的影响有助于理解并优化其介电性能.本文利用X射线衍射仪(XRD)......
CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷具有高介电常数,研究掺杂离子对其结构和性质的影响有助于理解并优化其介电性能.本文利用X射线衍射仪(XRD)......
利用传统固相反应法制备理想摩尔配比的CaCu3Ti4O12（CCTO）、SrCu3Ti4O12（SCTO）和BaCu3Ti4O12（BCTO）陶瓷样品，测量它们在不同频率下的介电......
分别通过溶胶凝胶-燃烧法、水热反应法和静电纺丝法制备CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷粉体,并利用XRD和SEM对CCTO样本进行物相分析和形貌......
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按CaCu3Ti4O12的组分进行化学配比，经850℃-955℃预烧、900℃-1100℃烧结6 h，成功制备了CaCu3Ti4O12粉体前驱体和CaCu3Ti4O12巨介电......
按CaCu3Ti4O12的组分进行化学配比，经850℃-955℃预烧、900℃-1100℃烧结6 h，成功制备了CaCu3Ti4O12粉体前驱体和CaCu3Ti4O12巨介电......
利用传统陶瓷烧结方法，成功制备了巨介电常数陶瓷CaCu3Ti4O12以及Ca被Y或La取代后的Y2/3Cu3Ti4O12和La2/3Cu3Ti4O12体系．利用X射线衍......
采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）高介电陶瓷材料,X-射线衍射的结果表明,制备的样品为体心立方结构,晶格常数α=0.737 8 nm。......
采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）高介电陶瓷材料,X-射线衍射的结果表明,制备的样品为体心立方结构,晶格常数α=0.737 8 nm。......
介绍了一种新型类钙钛矿型巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和......
介绍了一种新型类钙钛矿型巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和......
传统的烧结法，经850℃、980℃预烧和1000℃-1125℃烧结制备了CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷．通过X射线衍射（XRD）对体系进行了结晶性能和形......
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采用固相法制备了Cr2O3、Nb2O5掺杂的钛酸钙铜基高介电陶瓷,研究了Cr2O3、Nb2O5掺杂对CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷晶体结构、显微结构及介......
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利用传统的固相反应法在不同条件下制备CaCu3Ti4O12（CCTO）介电陶瓷,通过粉末XRD测试对其结构进行表征,以获得纯相CCTO陶瓷的合成条件......
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研究过渡金属氧化物在交变电场中的极化和弛豫行为有助于对此类化合物的输运机制的理解和介电、铁电等性能的优化.本文利用宽温宽......
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用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12样品，对其介电常数、电容、电阻及击穿电压特性进行了系统研究．结果表明：预烧温度950℃和1050℃烧结样......
研究了CaCu3Ti4O12在低温低频下的内耗曲线特征,发现金属中来源于晶界的内耗规律也适合CaCu3Ti4O12材料.测量了晶界弛豫激活能的大......
期刊
在25-355K温区范围内测定了陶瓷样品的介电性能；用XRD测量了其结构；分别考察了介电常数与晶相含量、测试频率间的关系．结果表明：样品的......
采用传统固相反应法以V2O5为V5+掺杂源合成制备了CaCu3Ti4-xVxO12(CCTVO,x=0%,1%,3%,5%)陶瓷粉体,研究了V掺杂量对Ca Cu3Ti4O12(CC......
采用传统固相反应法以V2O5为V5+掺杂源合成制备了CaCu3Ti4-xVxO12(CCTVO,x=0%,1%,3%,5%)陶瓷粉体,研究了V掺杂量对Ca Cu3Ti4O12(CC......
在介绍CaCu3Ti4O12材料体心立方类钙钛矿结构的基础上总结了CaCu3Ti4O12块材和薄膜的制备方法，综述了CaCu3Ti4O12材料在高介电性能......
制备CaCu3Ti4O12陶瓷,在50 K～300 K温区范围内测试试样介电性能.研究结果表明,CaCu3Ti4O12结晶完整性、晶界及缺陷对其巨介电常数的......
制备CaCu3Ti4O12陶瓷,在50 K～300 K温区范围内测试试样介电性能.研究结果表明,CaCu3Ti4O12结晶完整性、晶界及缺陷对其巨介电常数的......
采用固相反应法制备了BiFeO3掺杂的CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷,研究了BiFeO3掺杂量对CCTO陶瓷的烧结性能、晶体结构和介电性能的影响。结......
采用固相反应法制备了BiFeO3掺杂的CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷,研究了BiFeO3掺杂量对CCTO陶瓷的烧结性能、晶体结构和介电性能的影响。结......
通过研究在不同气氛（氮气和氧气），Ca-Cu3Ti4O12（CCT0）陶瓷样品在一定温度下进行后处理后，不同功函数电极对其介电性质的影响，进而研究CCTO......
