分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路电子和Ｘ线射辐照响应结果。实验表明，把适量的Ｆ注入栅场介质，能明显抑制辐射所引起的ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压的负向漂移和......