CMOS射频集成电路相关论文
本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端（Front-end）的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.0......
期刊
随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高，用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能.本文讨论了......
使用0.18μm CMOS工艺设计应用于802.11a WLAN的U-NII高频段5.7GHz的LNA.首先选取LNA结构,推导出噪声模型,然后选取在固定功率消耗......
卫星的小型化、低功耗和低成本的发展趋势，推动了对小卫星高集成度的研究。文章首先分析了小卫星“微型核”通信系统前端的结构；然后......
采用0.18μm CMOS工艺设计应用于802.11aWLAN的5.8GHz LNA.,给出了采用ADS的模拟结果：在中心频率5.8GHz处,LNA功率增益为16.97dB,阻......
利用TSMC 0.25 μm CMOS混合工艺,针对超外差结构的无线宽带收发器,实现了一个能够工作在50～600 MHz的中频调制器,并对该调制器进行......
讨论了CMOS射频低噪声放大器的相关设计问题,对影响其增益、噪声系数、线性度等性能指标的因素进行了分析,并综述了几种提高其综合......
提出并设计了一种应用于GPS接收机中的1.5 GHz低噪声放大器，该放大器采用TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺制作。与传统的共源共栅结构相......
研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。......
设计了一种用于2.4GHz RFID单芯片阅读器的CMOS低噪声放大器（LNA）。该设计采用全差分共源共栅结构和新颖的多级噪声抵消技术,不仅减......
介绍了一种0．18μmCMOS工艺基于GSM1900（PCS1900）标准低中频接收机中的混频器．该混频器采用了一种新型的折叠式吉尔伯特单元结构．在3．3V......
采用TSMC 0．18μmCMOS工艺设计了一个工作在2．4GHz上，具有非平衡变换功能的低噪声放大器。电路由两级构成，第一级主要实现高增益低噪声......
我们利用0．18μm CMOS工艺设计了低噪声放大器。所有电感采用片上螺旋电感，全集成在单个芯片上，并实现片内50N匹配。本次电路设计分析......
针对超外差接收机的自动增益控制网络，设计了一种结构简单的低压、低功耗全差分可变增益放大器．它由6级子电路级联而成，提供范围为81d......
本文设计了一款超宽带低噪声放大器,并对设计流程进行分析仿真.该低噪放采用双通道结构,有效的输入阻抗匹配、平稳的增益和低噪声......
本文深入研究了CMOS Gilbert混频器在四类本振信号(Local Oscillator,LO)作用下的开关模型,提出了相应情况下的混频器电压转换增益......
期刊
快速增长的无线通信市场对射频集成电路提出了较大需求。近年来,随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺的MOSFET特性频率已经达......
基于CMOS工艺的射频IC前端存在广阔的市场，具有良好的应用前景，是目前无线通信研究中的热点。CMOS射频无线接收前端电路由发射和接收......
随着无线通信技术的发展,高集成、小型化和低功耗成为了无线通信的重要特征。高集成和小型化的一个重要发展方向是将所有的集成电......
随着无线通信产业的发展,人们对无线通信产品在尺寸、速度、功耗、价格上提出了越来越高的要求。传统的微波射频集成电路都是建立......
快速增长的无线通信市场的巨大需求也造成了对射频集成电路的需求。近年来，随着特征尺寸的不断减小，深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征......
随着设计水平和应用要求的不断提高，无线通信系统向着小型化和集成化发展。片上系统(System On a Chip，SOC)成为业界焦点。对于整个......
随着CMOS工艺的不断进步,人们对低成本、高性能的射频接收电路提出了更高的要求。低噪声放大器、混频器以及带隙基准源是射频接收......
学位
近年来,超宽带(UWB)技术因其抗干扰性强,传输速率高,功耗小等优点成为无线通信的发展趋势。结合这个趋势,对超宽带无线接收机中的......
学位
近年来,随着无线通信系统的迅速发展,低成本、低功耗、高性能CMOS射频集成电路的研究和开发引起人们的广泛关注,用CMOS工艺实现无......
近年来,随着互联网应用的普及,人们对信息量的需求越来越大,光纤通信逐渐应用于宽带用户的接入端领域。限幅放大器作为光纤通信中......
学位
射频前端在现代通讯电路中起着接收和处理信息的作用,是通讯模块中一个非常重要的部分。由于CMOS射频集成电路有体积小、功耗较低......
采用CMOS工艺，针对超外差结构的无线宽带接收器，提出了一个新结构的可变增益放大器，并对该放大器进行了仿真和测试．测试和仿真结果表明......
深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25 μm标......
期刊
设计了一种用于C-HomePlug AV(CHPAV)2.0标准同轴以太网系统的低中频宽带射频收发器芯片。该芯片支持的射频频率范围为0.3~1.3GHz,......
