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深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25 μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5dB,相对误差最大为12.5%.
深亚微米工艺CMOS Gilbert混频器噪声分析
【摘 要】
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深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25 μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
【出 处】
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应用科学学报
【发表日期】
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2006年4期
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