应用标准0．35μm SiGe BiCMOS工艺设计一个Colpitts压控振荡器并流片。采用线性时变模型（LTV）分析振荡器的相位噪声。在3．3V电源电压下......

应用标准0．35μm SiGe BiCMOS工艺设计一个Colpitts压控振荡器并流片。采用线性时变模型（LTV）分析振荡器的相位噪声。在3．3V电源电压下......