锗硅相关论文
在全硅和GeSi电光强度调制器研究的基础上,提出了一种新型的电光强度调制器结构,目的在于减小调制电流和提高调制频率。
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为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的......
硅基光子技术通过光互连方式实现光子器件与光电器件的大规模集成,在数据中心、光通信等高容量应用场景中得到广泛关注。高性能的......
本文采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术,对较低的温度(550~660℃)下生长硅和锗硅外延工艺及其应用进行研究。主要包括锗硅单层......
本文内容包括: 1.利用原子力显微镜研究640C初始覆盖Si层时(0-4.2A)sJOe量子点的形貌转变过程,实验发现穹形量子点逐渐转化为金字......
在叙述锗硅(SiGe)合金结构特性的基础上,根据其生长层的临界厚度,对Si基SiGe光波导的单模条件、截止特性、以及与单模光纤数值孔径匹......
给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条......
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100(band-I/band-V)的双频单芯片功率放大器(PA)。PA采用单端共......
多年以来,沿着摩尔定律的途径,人们一直采用对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行等比例微缩来增加器件速度的方法。然而在......
三代(3G)无线通信正在快速地变成现实.3G得以成功实施,一个重要的原因是在传输的两端扮演了支撑角色的锗硅(SiGe)双极和BiCMOS工艺......
介绍了一种基于HICUM模型建立高速锗硅异质结双极可缩放模型的流程,结合一批不同物理设计尺寸晶体管的测试数据,建立了HICUM模型参......
提出了一种新颖的900~1 200MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法。电路采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺制作。......
系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展。在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文对以砷化镓和锗硅为主的化合物半导体集成电路产业的现状及其在移动通信领域的应用做出了描述,并对其发展前景做了预测.......
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on ......
首次报导了光电导型混晶Si1-xGex 波导探测器。混晶Si1-xGex 是在硅基SiON/SiO2 /Si上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经 6 50......
报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压......
研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的......
采用同步辐射X射线对MBE制备的锗硅量子点试样进行了掠入射小角X射线散射(GISAXS,grazing incidence small angle X-ray scatterin......
期刊
应用标准0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计一个Colpitts压控振荡器并流片。采用线性时变模型(LTV)分析振荡器的相位噪声。在3.3V电源电压下......
为了满足高性能的红外探测要求,以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管.利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定......
设计了一个用于TD-SCDMA的锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)功率放大器。该放大器使用3.3V电源,内部实现了包括级间匹配网络等的全电路片......
应用标准0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计Colpitts压控振荡器。采用开环S参数计算电路指标,计算结果与测量结果符合较好。测量结果表......
给出了一个基于AMS0.35μm SiGe BiCMOS工艺的低噪声放大器(LNA),主要应用于witone数字集群移动通信系统手持机中。该低噪声放大器采用......
采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一个1:2分接器,核心电路单元采用经过改进的电路结构实现。由于传统的发射极耦合逻辑结构(ECL)电路......
基于IBM0.35μm SiGe BiCMOS工艺BiCMOS5PAe实现了一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器。该功率放大器采用两级单端结......
采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构,除集电......
建立了一种基于硅/锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型,通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明,提......
基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款应用于WLAN、WIFI以及蓝牙等应用领域的射频功率放大器。该功率放大器带有基极镇流电阻,增强......
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个60GHz的交叉耦合差分压控振荡器(VCO).通过分析传输线的性能,用λ/4短路传输线构造谐振回路......
介绍了应变SiGe层的特性,包括SiGe应变层临界厚度与Ge组分的关系,能带变窄,折射率增加以及应变SiGe层的亚稳态特性。然后从材料生长方......
采用0.35μm-BiCMOS-SiGe工艺,设计了单片集成的低相位噪声差动压控振荡器.在电路设计中,需要的在VCO的三个主要性能参数:可调范围......
提出了基于TSMC0.35μm锗硅(SiGe)BiCMOS工艺的全差分跨导运算放大器(OTA),充分利用了异质结晶体管(HBT)共射共基结构的大跨导、小寄生效应......
采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分......
针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到......
文中介绍了一种基于锗硅BICMOS的宽带低噪声放大器的设计。此放大器工作在2.7GHz-3.5GHz的频带,采用0.18μm的锗硅工艺和cascode结构来......
采用UHV/CVD技术,以多层SiGe/Si结构作为缓冲层来生长应变弛豫SiGe虚衬底,并在此基础上生长出了具有张应力的Si层.利用高分辨X射线、二......
在利用分子束外延方法制备SiGe pMOSFET中引入了低温Si技术.通过在Si缓冲层和SiGe层之间加入低温Si层,提高了SiGe层的弛豫度.当Ge主分......
综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和......
运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入......
锗硅(Si1-xGex)是硅和锗通过共价键结合形成的半导体化合物,是这两种元素无限互溶的替位式固溶体。锗硅一般有非晶、多晶、单晶和超晶......
碳杂质浓度对SiGeC异质结晶体管直流和频率特性的影响,实验表明通过在外延层中引入碳杂质可以抑制基区扩展效应。对具有相同碳和锗......
采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,......
从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景......
在常规SiGe工艺下,设计了太赫兹频段的180 GHz信号产生、调制与探测电路。正交振荡器产生了四路相位相差90°的正弦信号,每路频率......
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验......