使用真空共蒸发法沉积了Cd1-xZnxTe(CZT)多晶薄膜，在气相50...

采用传统Bridgman方法和加入acceleratedcruciblerotationtechnique的Bridgman(缩写为ACRT B)方法生长的Cd1 -xZnxTe(x=0 .0 4)晶......

通过适当的工艺措施 ,采用Bridgman法生长了直径为 30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭 .测试结果表明 :该晶锭结晶......

利用对垂直布里奇曼Bridgman法生长中的Cd1-xZnxTe晶体停电自然降温的方法获得了具有不同凝固速率的同一块单晶样品.通过红外透射......

测量了几种不同处理的Cd1-xZnxTe(x=0.04)表面的傅里叶变换拉曼散射光谱和电流-电压(I-V)特性.通过分析拉曼光谱反Stokes分量,并与......

Cd1-xZnxTe（CZT）晶体具有优异的光电性能，是迄今制造室温X射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料。尽管对CZT的研究由来已久，但在CZT......

Cd1-xZnxTe晶体具有优异的光电特性，是理想的室温核辐射探测器用材料。尽管对Cd1-xZnxTe的研究由来已久，但在高电阻Cd1-xZnxTe晶体制......

Cd1-xZnxTe晶体具有十分优异的光、电性能，既可作为外延HgCdTe的衬底，又可用来制作X射线及γ射线探测器、太阳能电池等多种光电转换......

Cd1-xZnxTe（CZT）晶体是迄今制造室温X射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料，同时也是外延生长红外探测器材料HgCdTe的最佳衬底材料......