拉曼散射光谱相关论文
与传统的块状材料相比,二维材料具有许多独特的性能。例如,它们的传热和载流子迁移都被限制在一个有限的二维平面内,带隙可以通过......
用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc-GeSiO2)。测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱,......
水难溶性药物的应用及管理一直是新型口服药物推广所面临的重大难题。研究表明,约有40%的新药为水难溶性药物。且由于药物疏水性的......
InGaN合金作为一种可用于开发全光谱的光电器件的材料,其在InGaN/GaN基LED的工业生产和作为照明源的使用在世界范围内越来越受到重......
本文通过对催化剂及反应过程的控制,制得了长度为20~300nm的超短碳纳米管,并用透射电子显微镜和拉曼散射光谱对其进行了表征.......
随着电子工业与技术的迅速发展,第一代半导体Si及第二代化合物半导体GaAs,GaP,InP等代表材料已经不能满足现代军事的发展需求。因......
相干反斯托克斯拉曼散射光谱（简称为CARS spectroscopy）由于其具有信号强，方向性好等优点，在光谱分析中具有很重要的应用前景。飞秒量......
近年来,对于表面污染物的快速现场分析检测方法的需求不断增加,比如在家庭安全和食品安全监测方面。但是目前尚且缺乏有力的表面分......
该论文在国内首次研制成功了聚合物光纤通信链路系统;对聚合物光纤掺稀土的发光特性进行了系统分析,对其放大特性进行了理论模拟.......
近几年,国内有关塑化剂的食品安全事件频发,迫切需求加强对于食品中塑化剂的检测研究工作。邻苯二甲酸二辛酯(DEHP)、邻苯二甲酸二......
信息时代，光电子材料研究将成为信息材料发展的技术主流。而具有优越信息处理能力和超快响应的光电材料将成为信息材料发展的主体。......
本论文第一章概述等离子体子和表面等离子体子的一些概念、性质和相关研究状况；第二章介绍表面增强拉曼散射的原理及相关应用并对纳......
表面增强拉曼散射光谱的发现及应用，为探测吸附在金属表面的分子的结构信息提供了有力的工具。作为表面增强拉曼散射基底的金属纳米......
高压科学是现代科学技术的一个重要的研究领域,压力作为温度和组分之外的另一维系数,对物质的各种性质都有着不同程度的影响。通过......
利用共振拉曼光谱技术对生物大分子进行研究是一个新的技术领域。
本文研究了β-胡萝卜素溶液在液芯光纤中的共振吸收拉曼散......
制备了超宽带光纤拉曼放大器用多组分碲酸盐玻璃,并对其进行了吸收光谱、差热分析和拉曼散射光谱的研究.差热分析结果表明该玻璃具......
用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特......
采用LPCVD技术，以CH4和H2混合气体为反应源气，在n—Si（111）衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体，CH4作为......
本文改进了银胶的制备方法，采用机械方法的使银胶体系发生凝聚效应，其吸收峰位于435nm附近。当加入其他分子时，该吸收带没有明显移动，......
利用拉曼散射光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂GaN薄膜特性进行研究发现E2模式向频率低的方向漂移表明在GaN薄膜中......
在金属电极表面所形成的有机分子的单分子膜或薄膜对于基础研究和实际应用都有着极其重要的意义。以化学吸附形式在金电极表面所形......
用循环伏安法分别测定了金电极表面L-半胱氨酸（L-Cys）和十二硫醇自组装单分子层的电化学行为,实验发现虽然单层结构排列致密,但并不......
测量了几种不同处理的Cd1-xZnxTe(x=0.04)表面的傅里叶变换拉曼散射光谱和电流-电压(I-V)特性.通过分析拉曼光谱反Stokes分量,并与......
采用常规溶液反应蒸发法以4-巯基吡啶（简写为4-MPy）为有机配体与银、镉的硝酸盐合成了两种金属有机配合物。并利用红外、拉曼、紫外-......
本研究以唐卡《威罗瓦金刚画像贴落》脱落的蓝色和绿色颜料样品为研究对象,利用三维视频显微镜、激光拉曼光谱、红外吸收光谱、X射......
分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78......
利用高分辨X射线衍射（HRXRD）与拉曼散射光谱（Ramanscatteringspectra）研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积（LP—M......
<正> Ⅲ族氮化物半导体由于在光电子和微电子器件上的广阔应用前景,已经引起了人们极大的兴趣。氮化铟(InN)是低损耗高效电池、光......
实验采用300 keV的He2+辐照6H-SiC,辐照温度分别为室温,450,600和750?C,辐照剂量范围为1×1015—1×1017cm-2,辐照完成后对样品进......
伴随着人类社会科技的进步发展,各行各业对能源也有着日益增长的迫切需求。与此同时,人类社会也面临着能源危机以及传统能源带来的......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
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随着电子技术及相关产业的迅速发展,以元素半导体Si为代表的第一代半导体材料及以GaAs,GaP,InP等化合物半导体为代表的第二代半导......
利用超高压实验手段研究物质在极端条件下的结构与物性,不仅可以深入认识它们现有的各种物理现象和规律,揭示常规条件下无法获得的......
近期,在珠宝市场上的一件"黑白钻"首饰中发现混有黑色合成碳硅石,该情况应引起国内外各珠宝检测机构的足够重视。采用宝石显微镜、......
在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中,锑化铟(InSb)基化合物半导体材料具有最高的常温载流子迁移率和最小的带隙,在电场作用下具有优异的电子输......
氧化锌（ZnO）是II-VI族直接宽禁带化合物半导体材料，呈六方纤锌矿结构，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，是同为第三代半导体......
ZnO是II-VI族直接宽带隙半导体氧化物材料，室温下禁带宽度3.37eV，激子束缚能为60meV，在室温下可以实现紫外受激发射。其优异的光电性......
多孔氧化铝(porous anodic aluminum oxide, AAO)模板的制备一直是纳米材料科学领域的研究热点。虽然大多数研究者主要研究孔道结......
利用Au/Sb和Au/Si共晶点温度较低的特点,通过在~400℃合金化的方法,在硅片表面实现了掺Sb纳米晶体的制作。扫描电子显微镜观察到了......
量子材料中的电子有多个自由度,电荷、自旋、轨道、晶格和拓扑属性耦合在一起,决定着材料的性质。拉曼散射光谱是研究材料晶体对称......
利用射频磁控溅射法(MS-RF)在玻璃基片上制备了不同掺杂浓度的ZnO:Sb薄膜.借助X射线衍射仪(XRD)、透射光谱、光致发光谱(PL)和拉曼......
近年来,由于集成电路工艺的发展使得芯片的特征尺寸越做越小,致使器件的集成度越来越高,各种量子效应问题也逐渐涌现,导致传统半导......
