CuInSe2(CIS)相关论文
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CuInSe2 (CIS) thin films were prepared by electrodeposition from the de-ionized water solution consisting of CuCl2, InCl......
采电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6~0.8V(vsS......
以金属氯化物、Se粉为原料,在有机溶剂中经过回流反应合成前驱物,再经快速热处理制备了CuInSe2粉末.采用XRD、Raman光谱、TG-DTA、......
采用乙醇为溶剂。通过恒电流的方法电沉积制备了CuInSe2薄膜材料。研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响.研究结果表明:......
通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜分析(SEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)和X射线荧光分析(XRF),对PLD溅射后硒化法制备出的铜铟硒(CIS)太阳能......
综述了电化学沉积太阳电池用CulnSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉......