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DDSCR相关论文
一种内嵌NMOS的抗闩锁双向MHVDDSCR
针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR).在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽......
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闩锁效应
DDSCR
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静电放电
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双向可控硅器件在片上静电防护中的应用
设计了一种用于芯片静电放电(ESD)防护的双向可控硅(DDSCR)器件。该器件具有对称性或非对称性骤回I-V特性,可以用于多种应用场合。器件......
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双向可控硅
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