闩锁效应相关论文
介绍了一种通过因果图及DOE（试验设计）对ESD及LU测试中出现的复杂失效问题进行快速分析定位的方法。该方法通过因果图的制定,全面建......
功率半导体作为半导体行业中稳定的一部分,其发展十分重要。而其中绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件,作为结合了功率金属氧化物半导体场......
随着半导体制造工艺的不断进步,芯片的物理尺寸越来越小,静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）成为造成半导体器件失效的主要原因......
高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析......
非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁.为了......
针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR).在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽......
最近产业界忽然刮起了一股产业联盟风,先是南车成立了中国IGBT技术创新与产业联盟,相隔一天北车又与ASMC在上海签约“建设战略产业......
分析了带同步整流开关的降压型DC-DC电源管理芯片,介绍了衬底噪声中闩锁效应的产生机理,提出加入死区时间控制同步整流开关信号的......
从半导体器件物理的角度分析了dVss/dt触发N阱CMOS器件的闩锁失效现象。当瞬时负电压脉冲峰值满足Vss_peak......
CMOS集成电路在实际的应用中会出现一些问题,问题主要表现在闩锁效应上,闩锁效应已经成为CMOS集成电路正常运作的障碍。特别是随着......
研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深......
研究超高压集成电路中的寄生闩锁效应问题。针对采用外延技术的BCD工艺,给出外延层材料电阻率、工艺和结构参数变化与寄生闩锁结构......
本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件......
端口电路负责内部电路与外部电路的连接，既保护晶片免受高压静电放电的破坏，又提供较大的驱动电流以驱动电路板上的负载，因此端口电路......
设计了一种新颖的CMOS无稳态多谐振荡器,克服了传统设计中时钟占空比依赖于工艺参数的缺陷.改进的设计不仅能产生占空比为50%的时......
闩锁(1atch-up)效应严重影响了CMOS集成电路的可靠性,如何对其进行快速有效地测试是很有必要的.本文主要介绍了代表了当今世界测试......
为了提高仪表企业的生产效率以及出厂产品的稳定性和可靠性,提出了一种基于HART协议的智能仪表巡回检测系统,用于对符合HART协议的......
该文简介了高可靠集成电路SOI的主要制造技术,探讨了其特殊性能,并展望了其诱人的应用前景.......
文中通过计算机模拟的方法分析了器件在不同输出电平时，CMOS反相器单粒子闩锁（SEL）特性的变化。通过对器件输出电平不同时，不同衬底的C......
通过对各种半导体抗浪涌保护器件特点的比较,介绍了第四代抗浪涌保护器件(P61089)的工作原理,分析了他在程控交换机上对用户线接口......
任何一种设计技术、版图结构都需要输入／输出单元。不论是门阵列结构、还是标准单元结构，现代设计理论提倡将IC的内部结构和外部信号......
随着智能电网上升成为国家战略,其高速、高集成度的光纤通信网络通信的安全性和可靠性成为了一个需要重点关注的问题,然而电网中广......
对cmos数字电路静态和动态中的的几个关键的重要特性进行了探讨，并对因cmos数字电路内部结构而引发的闩锁效应进行了分析。给出了cm......
互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺集成电路由于寄生的PNPN结构使其可能会受到闩锁效应......
随着集成电路工艺的进步,CMOS集成电路规模不断缩小以在同一区域封装更多的晶体管来提高运行速度和性能,栅极氧化物尺寸也被缩小以......
以CMOS器件为基本单元的集成电路已成为当今世界LSI、VLSI、ULSI中应用最为广泛的一种电路结构,而现阶段CMOS电路系统中的闩锁效应......
近年来,得益于全球半导体制造技术的升级,高性能集成电路（Integrated Circuit,IC）的成功实现带动了电子产品的迅猛发展。为了保证电......
智能化家电电路功能繁多、系统复杂,系统和电路设计、制造、储藏等过程存在瑕疵或故障,都会导致整机工作异常。收集了智能电冰箱在......
以反相器电路为例,介绍了CMOS集成电路的工艺结构;采用双端pnpn结结构模型,较为详细地分析了CMOS电路闩锁效应的形成机理;介绍了在......
主要探究解决控制系统在频繁通断电情况下容易死机的问题。通过对传统微处理器复位电路的理论分析和工作波形仿真,发现在电源掉电......
闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一，而且随着器件特征尺寸越来越小，使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMO......
以反相器电路为例，介绍了CMOS集成电路的工艺结构；采用双端pnpn结结构模型，较为详细地分析了CMOS电路闩锁效应的形成机理；介绍了在电路......
研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深......
目前以CMOS工艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术，但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并未为......
静电释放(ESD)是指电荷在两个电势不等的物体之间转移的物理现象,它存在于人们日常工作生活的任意环节。随着集成电路特征尺寸不断......
LVTSCR器件结构相对于普通SCR具有低电压触发特性而被广泛用于集成电路的片上静电放电(ESD)防护中。但是在ESD事件来临时,其维持电......
本文较为详细地阐述了体硅CMOS结构中的闩锁效应,分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了用于分析闩锁效应的集总组件模型,给出......
CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之......
闩锁效应会严重导致电路的失效,甚至是烧毁芯片.采用增加多子保护环的方法来抑制功率集成电路的闩锁效应,而且给出环宽设计、环距......
介绍一种检测ESD电压并输出触发或关断信号的电路结构。通过对ESD脉冲的上升沿进行分辨,然后输出触发信号从而触发SCR钳位器件对内......
在离子注入埋层的硅片上,以SiO2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延（SEG）单晶硅层,并在此外延层上制作了P+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅......
随着集成电路集成度的提高,器件的特征尺寸不断减小,电磁脉冲对集成电路的损伤效应越发明显。电磁脉冲可以通过金属互连线或者孔缝......
闩锁是集成电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失......
针对具有低压触发特性的静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护电路易闩锁的不足,本文结合CSMC0.6μm CMOS工艺,设计了一种可......
概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来......
期刊
随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路......
闩锁效应是CMOS集成电路在实际应用中失效的主要原因之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。......
本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件......
