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Faraday筒相关论文

MOS器件在不同源辐照下总剂量效应的异同性研究

介绍了加固型CMOS电路在60Co-γ射线源、10 MeV以下的质子、1～2 MeV的电子等辐射源辐照下的总剂量效应实验.结果表明,在相同吸收剂......

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辐射效应 Faraday筒阈值电压 MOS器件 CMOS电路 Radiation effects Faraday cup Threshold voltageM

MOS器件的质子总剂量效应

介绍了几种加固和非加固 MOS电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量......

期刊

总剂量效应质子 Faraday筒阈值电压漏电流

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