总剂量效应相关论文
高压集成电路是电能转换和控制的核心芯片.在星链计划为代表的新一代航天技术推动下，航天装备朝着小型轻量化、动力电气化快速发展，......
相较于传统体硅器件,绝缘体上硅（silicon on insulator,SOI）器件以其更小的寄生电容,更低的功耗,抗闩锁能力等优势应用于集成电路中,......
利用Silvaco TCAD软件，研究了电离总剂量（total ionizing dose, TID）效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响。构建了28 nm NMOSFET 3维仿......
文章梳理了面向航天器总体设计的空间辐射效应分析技术现状，重点归纳了航天器空间辐射效应分析中需关注的总剂量效应、位移损伤效应......
对低功率、升压型集成式DC-DC电源变换器的电离总剂量辐射损伤效应进行了研究。探讨了变换器在不同负载、不同输入电压条件下输出......
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）具有良好的温度特性，可承受-180～+200℃的极端温度，在空间极端环境领域具有诱人的应用......
高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit,HVIC）旨在实现高低压信号转换和集成,如栅驱动集成电路、电源管理芯片等被广泛应用......
对不同偏置下碳化硅VDMOS在总剂量辐射环境中的动态和静态特性进行了研究。比较了三种偏置状态下60Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件......
随着功率半导体器件发展到深亚微米时代,传统体硅材料已经接近物理极限,SOI（Silicon on Insulator）的出现改善了体硅材料的不足,同时......
随着我国航天事业的快速发展,如何能够保证航天器在空间环境中安全可靠地运行成为一个重要的话题。由于空间环境中存在着大量的辐......
集成电路发展至今,其应用场景愈发广泛,越来越多的So C芯片被应用在航天系统之中,在空间辐射环境下,芯片会受到各种辐射效应的影响......
宇宙空间存在多种高能粒子,这些高能粒子进入半导体器件会引发辐射效应并最终导致电子系统失效,其中总剂量效应和单粒子效应是两种......
自氧化铪（HfO2）基铁电材料问世以来,其优异的铁电性能被人们所熟知,逐渐被广泛应用到电子元器件中。相比于传统钙钛矿结构铁电薄膜,H......
碳化硅（SiC）材料本身具有宽禁带、高击穿场强、高热导率以及高饱和电子漂移速率等优点,可以用于高压、高频、高功率及高温领域。相比......
学位
碳化硅（SiC）材料是禁带宽度为3.2 e V的半导体材料,SiC基器件凭借着其材料所带来的优秀性能,能突破硅基器件性能极限,因此在大功率、......
随着太空探索越来越频繁,电子系统在太空中稳定的高速数据通信越来越受到重视。太空环境相对地球表面的环境更为恶劣,太空通信系统......
600V LDMOS在集成电路中被广泛应用于各种功率转换的集成电路中,如开关电源电路、半桥驱动、高压栅驱动电路等。在航空航天辐射环......
随着半导体技术的飞速发展,各种模拟、数字集成电路被广泛应用于航空航天、核工业及粒子物理等领域。它们处在各种电磁、高能粒子......
使用Silvaco TCAD软件建立PMOS器件模型,仿真模拟得到了PMOS器件γ射线总剂量效应,提取了氧化层及界面处陷阱电荷共同影响后器件的......
本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP（gated lateral PNP, GLPNP）双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双......
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值......
航空、核工业等事业的不断发展使得对其内部电子仪器精密度、集成度提出了更高的要求。更小特征尺寸的晶体管为芯片带来了更高的计......
SOI LDMOS功率器件的栅极、源极和漏极在同一表面,易于集成,同时具有较快的开关速度和较小的寄生效应等优点,作为电源开关,是高压......
空间辐射环境对宇航电子系统构成严峻的可靠性威胁。纳米集成电路具有高性能、高集成度等优点,是未来宇航电子系统的必然选择。辐......
半球谐振陀螺是一种高可靠的哥氏振动陀螺,在宇航领域有广泛的应用前景.该文研究了在空间辐照环境下总剂量辐照效应对半球谐振陀螺......
半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时, 会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早......
电子辐射是空间辐射环境的重要组成部分, 也是地面模拟空间辐射环境的重要手段。为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行......
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器, 重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器......
随着CMOS结构的不断优化、半导体工艺的不断进步，CMOS图像传感器性能有了巨大飞跃。得益于低成本、低功耗、高集成度等优点，CMOS图像......
空间环境辐射对宇航级器件产生总剂量效应会导致器件性能参数随着剂量累积而逐步衰退,主流的抗辐射加固途径主要是芯片设计和工艺......
研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率......
钳位电压(Vpin)是影响CMOS图像传感器(CIS)中钳位光电二极管(PPD)电荷转移效率和满阱电荷容量的关键物理量。在辐照条件下,V_(pin)......
随着人类对于数据的容量及传输速度的要求逐步增大,传统的微波通信已经无法满足人类的需求。而空间光通信基于光信号特有的优势实......
随着CMOS结构的不断优化、半导体工艺的不断进步,CMOS图像传感器性能有了巨大飞跃。得益于低成本、低功耗、高集成度等优点,CMOS图......
学位
驱动芯片作为智能功率集成电路中的重要组成部分,被广泛应用于各个领域当中。当驱动芯片工作在星用马达电机上时,芯片内部的半导体......
辐射效应对于电子芯片造成的影响随着集成电路技术的提升而愈加严峻,对于集成电路的加固设计也提出了新的要求。静态随机存储器SRA......
GaN因其禁带宽、击穿电场高、电子迁移率高、耐高温及抗辐照等优点被视为制备具有高工作温度、高工作频率以及高抗辐照水平功率器......
全面综述鳍式场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应,包括辐照期间外加偏置、器件的工艺参数、提高器件驱动能力的特殊工艺、源/漏掺杂......
针对特征工艺尺寸为180 nm的互补金属氧化物半导体微处理器进行了60Co在线电离辐照实验,找出了片内对辐照效应敏感的外设,分析了其......
以180 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)工艺制造的STM32微处理器为实验对象,设计了由被......
存储器作为航天器电子系统不可或缺的一部分,在航天应用中需要有良好的抗辐射能力.阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RR......
针对CMOS器件栅氧化层的早期失效问题,研究了化学气相沉积(CVD)氧化层/热氧化层的双层复合栅结构.对高温氧化(HTO)层、等离子体增......
太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化,甚至造成永久性损毁.文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究,从......
