GaAs赝高电子迁移率晶体管相关论文
针对功率放大器在宽频带范围内存在效率低、增益平坦度陡峭而导致导航定位系统能量利用率过低的问题,基于海威华芯0.25μm GaAs pH......
结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个......
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