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GaN紫外LED相关论文
溅射AlN衬底上的紫外LED外延结构与方法研究
Ⅲ族氮化物半导体有着直接宽带隙、高电子漂移速度、高热导率、高击穿电压、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优良性能,在照明领域发挥着广......
学位
Ⅲ族氮化物半导体
溅射AlN衬底
GaN紫外LED
外延结构
发光效率
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