Ⅲ族氮化物半导体相关论文
Ⅲ族氮化物作为宽禁带半导体的重要成员，具有宽广连续可调的直接能带隙，是发展紫外-可见波段光电子器件的优选材料.近年，我们重点研究......
Ⅲ族氮化物半导体有着直接宽带隙、高电子漂移速度、高热导率、高击穿电压、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优良性能，在照明领域发挥着广......
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强和高热导率等优越性能,是发展高频、高......
随着上世纪九十年代GaN材料制备关键技术的突破，以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体作为新一代半导体材料迅速崛起，成为发展新型半导体异......
一维半导体纳米材料具有许多独特的物理性质(如量子尺寸限制效应、晶格应变)，已成为物理、化学、生物等各个领域的研究热点。
......
本论文采用第一性原理总能方法研究了缺陷和杂质对钎锌矿Ⅲ族氮化物半导体的电子能带结构的影响，考虑了中性电荷态情况下高浓度的本......
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强等优越性能，是发展高频、高温、高功率电子......
半导体自旋电子学旨在结合已有的较成熟的半导体工艺将电子的自旋自由度加以应用，从而实现能耗更低、速度更快、尺度更小的自旋电子......
Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度，成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种......
利用Al Ga N/Ga N半导体的极化效应在异质结界面产生二维电子气（2DEG）的特性,设计了一种基于高电子迁移率场效应管（HEMT）的压强传感器;......
Ⅲ族氮化物,包括InN,GaN,AlN以及它们的合金。因为它们具有直接带隙结构,而且其带隙宽度从0.7eV到6.2eV连续可调,很适合用以制造固......
<正>继硅(Si)引导的第一代半导体和砷化镓(GaAs)引导的第二代半导体后,由Ⅲ族氮化物引领的第三代半导体闪亮登场并已逐渐发展壮大......
