外延结构相关论文
采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子......
回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧......
Ⅲ族氮化物半导体有着直接宽带隙、高电子漂移速度、高热导率、高击穿电压、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优良性能，在照明领域发挥着广......
本论文主要研究了紫光LED中量子垒和电子阻挡层的设计，主要结论如下: 1.首先利用SiLENSe软件模拟分析了AlGaN量子垒在紫光LED结......
基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外......
在低压金属有机化学气相沉积生长工艺中,对用于制作850nm垂直腔面发射激光器件的GaAs/Al_xGa_（1-x）As多量子阱外延结构的生长温度、......
二维原子晶体的外延生长调控是二维材料研究和应用中的一个重要课题。现有的调控方式包括改变前驱体、载气、衬底表面结构、生长温......
<正>紫外波段依据波长通常可以划分为:长波紫外或UVA（320<λ≤400nm）、中波紫外或UVB（280<λ≤320nm）、短波紫外或UVC（200<λ≤280 nm）以......
<正> 近几十年来,俄语里出现了很多新的现象,分割结构就是其中之一。所谓分割结构((?))是句子在分割的作用下产生的一种句子结构或......
采用多色LED芯片组合可以提供更优质、更稳定、有良好色温可调性的“智能化”白光光源,是白光照明未来的方向,在显示和可见光通信......
碳化硅（SiC）由于具有禁带宽度大、临界位移能高、热导率高等优点而成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体......
本论文主要论述了自行设计开发的一套计算机控制的半导体激光器脉冲测量表征系统，以及在不同的脉冲驱动条件下应用本系统对InAsP/In......
基于器件模拟仿真,设计了一种1.5μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构.其多量子阱有源区置于基区非对称波导中.仿真结果显......
研究了4H-SiC浮动结(FJ)结势垒肖特基(JBS)二极管的设计方法。提出在上外延层厚度一定的情况下得到外延层最佳掺杂浓度,然后以器件......
军人的心理素质是军事心理学的重要研究课题.本研究建立由30个描述心理素质的单词构成的评定量表,选择来自连营级、团师级和军以上......
氮化物体系LED由于存在大的极化效应，量子限制斯塔克效应显著，即量子阱的能带发生倾斜，电子和空穴在空间分离，辐射复合效率下降。通过......
