利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaN_xAs_(1-x)薄膜,并对图谱中所观察的光学......

利用分子束外延（MBE）技术在GaAs（001）衬底上生长了GaN0．01As0.99薄膜，然后使用光调制反射（PR）光谱研究了薄膜的光学性质和能带结构。PR光谱......