利用分子束外延（MBE）技术在GaAs（001）衬底上生长了GaN0．01As0.99薄膜，然后使用光调制反射（PR）光谱研究了薄膜的光学性质和能带结构。PR光谱......

在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上,通过求解弛豫近似下的Boltzmann方程,求出了P-型金刚石膜的电导率.在价带分裂模型下得......

p-型金刚石膜具有显著的磁阻效应，是近年来才发现的新现象。结合金刚石所具有的优异的物理、化学性能，预示着金刚石膜可作为新一代磁......