GaN功率管相关论文
设计了一种基于GaN HEMT的功率放大模块。该模块采用高增益的GaAs单片、GaN小功率管和GaN大功率管三级级联形式。测试结果表明,模......
随着相控阵雷达技术的发展,射频前端作为T/R组件的核心器件,向高性能、高可靠、多功能、小型化及低成本趋势不断发展。本文使用GaN......
GaN功率管具有高击穿电压和高开关频率,但其自身也存在一些缺陷,一是没有一个额定的雪崩电压值,二是损耗高以及高开关频率下EMI特......
目前,高效率、高功率密度的变换器是电源行业一直以来追求的目标,随着半导体材料及技术的飞速发展,极大地促进了这一目标的实现。L......
氮化镓(Gallium(iii)Nitride,GaN)作为新一代半导体材料的代表,其高功率密度、高击穿场强的特点使其具备了带宽宽、效率高等优点。......
GaNHEMT的出现，使得有关电子设备性能的大幅度提升成为了可能。为了尽快实现该器件的工程化应用，需要对器件的可靠性进行相关研究。......
