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GaN外延薄膜相关论文
形核层生长速率和阱层生长温度对MOCVD生长GaN外延薄膜的影响
近年来,氮化镓基半导体材料广泛应用于发光二级管、太阳能电池等各类电子器件领域中,尤其是GaN基LED器件已经达到了大规模商业化应......
学位
InGaN
GaN
MOCVD
形核速率
阱层
低位错密度的GaN外延薄膜生长研究
随着社会的发展,科技的进步,半导体材料在现代科技革命中扮演着极其重要的角色。作为第三代半导体材料的代表,氮化镓(GaN)和其它氮......
学位
MOCVD技术
GaN外延薄膜
斜切衬底
位错密度
生长机理
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