MOCVD技术相关论文
以GaN为代表的第三代宽禁带化合物半导体材料因其显著优点是目前世界上最先进的半导体材料,广泛应用于蓝、绿光发光器件领域。MOCV......
随着社会的发展,科技的进步,半导体材料在现代科技革命中扮演着极其重要的角色。作为第三代半导体材料的代表,氮化镓(GaN)和其它氮......
传统的太阳电池透明导电电极通常采用ITO或FTO,原料含量稀少、价格高且有毒,严重制约了太阳能电池的发展。氧化锌基透明导电薄膜具......
以稀土钡铜氧超导体作为涂层制备出来的高温超导长带是目前最具大规模应用前景的超导材料.该带材也被称为第二代高温超导带材.目前......
会议
通过外延层剥离技术获得GaAs薄膜太阳电池样品，实验对比了正向和反向外延结构方法。解释了现有技术条件下。采用新颖的反向外延结构......
范教授是国内最先从事氮化镓蓝色LED发光材料研究和MOCVD技术研究的光电子专家。早在1972年，他就开始以氯化物法在蓝宝石衬底上!仁......
评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN／A1GaN双异质结(DH)结构的工艺与特性；从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层M......
MOCVD,即金属有机物化学气相沉积法、金属有机物气相外延生长,是一种制备化合物半导体薄层的方法,应用于多个领域,如太阳能电池、......
ZnO作为一种N型宽带隙直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，有优异的压电、光电、压敏等特性，其原材料丰富且无毒，电导率和透过......
ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术－ 本文综合分析了现代ＭＯＣＶＤ 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展－ 重点讨论......
