GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)相关论文
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本文介绍了常开GaN功率开关器件是耗尽型GaN HEMT，其击穿电压的提高和栅漏间距、栅极漏侧电场分布以及体穿通、栅极漏电的抑制等因......
