内匹配相关论文
近年来无线通信领域迅速发展,市场对固态功率器件的性能指标需求不断提高,这使得大功率高效率成为人们竞相研究的热点。相比于电真......
随着5G时代的到来,通信行业又有了一步大跨越式的发展,氮化镓（GaN）功率器件作为通信领域和半导体领域的交叉核心,其发展与应用也跟随......
随着通信技术的发展,对于远距离通信的需求越来越高,功率放大器作为发射机的最重要组成部分,客观上推动了功率放大器的发展。固态......
GaN材料具有宽禁带宽度、高耐受电压、高功率密度等特性,能够很好地满足功率器件在耐高温、大功率、高效率等方面的性能要求。本文......
随着无线电技术和网络技术的飞速发展,对通信能力的要求越来越高,通信系统呈现多频带、多模式、自适应的发展趋势,功率放大器作为......
基于南京电子器件研究所的0.5μm GaN HEMT工艺平台,研制了一款2~5 GHz宽带固态功率放大器。采用低通L-C匹配网络消除虚部阻抗,并......
针对射频收发前端对功放高效率、大功率的需求,采用内匹配技术,设计并实现了一款工作在0.9?1.1 GHz的高功率内匹配放大器.该放大器......
介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路.基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了......
采用内匹配技术,使用两枚GaN HEMT晶体管,在X波段8.0～ 8.5 GHz频段内,设计并实现了一种高可靠性、高功率附加效率的功率放大器.基于......
近年来，民用移动通信技术和军事雷达技术迅速发展，均对无线信号的传输和发射质量提出了更高的要求。在移动通信基站和军事雷达中，射频......
学位
介绍一种大功率固态脉冲功放组件。该组件在 80 0 MHz中心频率处 ,峰值输出功率大于80 0 W,带宽 50 MHz,脉冲宽度 0 .8μs,脉冲工......
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器......
期刊
介绍了一种基于GaAs HFET结构的S波段内匹配器件的设计方法。由于大栅宽器件模型难以准确确定,提取了具有相似结构的小栅宽器件模......
介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制......
期刊
采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实......
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附......
期刊
利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输......
介绍了S频段微波脉冲功率放大器模块的设计方法和试验研制过程。利用内匹配技术,采用混合集成电路制作,将四级芯片集成到微型封装......
报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5～9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值......
报道了一种新型的砷化镓宽带高效内匹配功率放大器，它采用集总参数与分布参数相混合的匹配电路形式，取用南京电子器件研究所研制的12......
本文讨论了不同占空比情况下常规大功率内匹配功放电路隔直电容在工作状态下的温度表现,重点分析了连续波、准连续波及大脉宽情况......
采用内匹配技术,使用单胞的电路结构,设计并实现了一款3.8~4.2GHz的功率放大器。该放大器基于南京电子器件研究所自主研制的GaNHEM......
报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率PHEMT．在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制，实现了较好的工艺可控性和较高的......
经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dB......
论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输......
主要研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。采用8个2.5 mm GaN功率芯片设计、合成以及内匹配电路的测试,在漏极电压40 V,脉......
本文实现了一种基于自主50V工作GaN HEMT工艺的S波段内匹配功率管。以S参数和负载牵引结果进行内匹配电路设计,采取两管芯并联的方......
基于自主研发的0.5μm工艺高压GaNHEMT管芯,采用有源器件模型和无源器件模型与大功率内匹配合成技术相结合,成功设计并实现了一款......
与硅双极型功率器件相比,LDMOS微波功率器件具有频带宽、输出功率高、功率增益高、线性度好、热稳定性好、没有二次击穿等诸多优点......
介绍一种基于国产氮化镓(GaN)外延材料的X波段300 W GaN高效率内匹配器件技术。该技术采用大栅宽芯片的大信号有源模型和封装管壳......
报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管。通过管芯的结构设计和工艺优化，进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制；通过内匹配技术......
介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管......
采用内匹配和功率合成技术，设计了C波段GaN HEMT高功率放大器。电路采用6胞芯片进行功率合成，在陶瓷（Al2O3）基片上设计制作功分器，使其......
一、引言现代通讯系统要求具有直流射频转换效率高、调制失真小以及可靠性高的高功率固体放大器。在末端导弹导航和拦截雷达以及......
基于GaN功率器件工艺自主研发的大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,采用内匹配技术和宽带功率合成技术相结合的方法,研制出了......
现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽。SiC MESFET具有高功率密度、高工作电压等优势，成为目前国际......
基于南京电子器件研究所0.25μmGaNHEMT工艺平台,设计了一款工作频率为1~4GHz,连续波输出功率大于80W的超宽带功率放大器.放大器采......
阐述了基于GaN HEMT的超宽带功率放大器的设计与实现方法。采用低通L-C匹配网络消除虚部阻抗,并利用多节λ/4阻抗变换器实现宽带实......
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基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设......
期刊
一种新颖的GaN工艺应用于X波段高功率、高效率功率管,适合于雷达和遥感应用。不同于传统的GaN器件工作在28~40V,该器件工作大于50V......
采用了内匹配技术和谐波抑制技术,设计并实现了一款3.8 GHz~4.2 GHz的功率放大器设计。该放大器采用南京电子器件研究所自主研制的......
研究了一种基于国产SiC衬底的L波段GaN高效率内匹配器件。利用在片微波测试和直流测试相结合方法获得器件的小信号模型,外推得到大......
文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内......
采用平面微带线结构及内匹配GaAs金属半导体场效应晶体管的Ku波段大功率脉冲功率放大器模块,研究了在Ku波段脉冲功率放大器研制中......
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