Ge薄膜相关论文
中间带太阳电池是一种高效率、低成本的新概念太阳能电池,它可以充分利用太阳光谱中的红外光子能量,其理论极限效率高达63.2%。铜......
采用低温缓冲层技术,在Si衬底上生长了质量优良的Ge薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、双晶X射线衍射(XRD)和拉曼散射等研究了薄膜的晶......
利用超高真空磁控共溅沉积系统在Si(100)衬底上溅射Ge组分渐变的Si1-xGex缓冲层,并在其上制备Ge薄膜,采用快速热退火(RTA)对Ge薄膜......
期刊
纳米材料的尺度是处于原子簇与宏观物理之间的交界的过渡区域，在纳米材料中，纳米微粒具有大的比表面积，表面原子数、表面能和表面张力......
用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包......
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge......
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-x Gex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱......
为了研究光子计数成像系统中感应电荷层Ge薄膜的制备工艺,改善光子计数成像系统的成像稳定性,采用直流磁控溅射法在熔石英衬底上制......
用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包......
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge......
采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结......
采用超高真空离子束溅射设备,在不同生长束流下,制备了一系列的Ge薄膜材料。通过对材料厚度的测量,对Ge薄膜的生长速率与生长束流......
采用离子束溅射技术在不同Ar^＋能量下溅射Ge单层膜。用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征，得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar^＋能量变化......
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响。实验结果显示：随着缓冲层厚......
