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INGAASINP相关论文
低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管的模拟分析
提出了一种吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管,利用碰撞电离工程(I 2E)设计了双电荷层双倍增层结构......
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InGaAs/InP
碰撞电离工程(I 2E)
吸收区-电荷区-倍增区分离
电离阈值能量
过剩噪声
material
SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III~V族半导体材料。综述了近期III~V族外延片与SOI(silicon-o......
期刊
光电探测器
InGaAs/InP
SOI
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