键合技术相关论文
为解决应用于液体电介质局部放电超声信号检测的非本征光纤法-珀传感器（Extrinsic Fiber Fabry-Perot Interferometor， EFPI）检测灵敏......
低温直接键合不同于传统的阳极键合、中介层键合和高温键合,无需外加电场、键合中介层和退火高温的引入,键合界面主要依靠表面活化......
简单综述了微机械技术的先进性，该技术包括表面和本体硅微机械、电沉积和键合技术。给出了许多微型系统设计、生产和应用的实例，并对......
一引言随着集成电路芯片设计技术和制造技术的不断进步，使集成电路的复杂程度不断增加。同时，给集成电路的引线键合工作也增加了相当......
3 硅基光源既然目前在全硅集成光学中还没有有效实用的硅光源,那么发展硅基光源以满足硅集成光学的发展就非常有必要。这个领域的......
首先简介原子力显微镜（ＡＦＭ）的特点，然后叙述阳极键合技术的原理，以及此技术在微探针制造中的应用，最后给出该技术在ＣＭＯＳ新的ＳＯＩ结构中的应用
Firs......
H＋离子注入Si片并经一定条件退火，可在Si片中形成埋层微空腔（microcavity）层，结合Si片键合技术，用智能剥离（Smart－cut）技术成功地制备了Unib......
该封装具有多层连接线、低寄生电阻和低寄生电感的优点
The package has the advantages of multilayer wiring, low parasitic r......
ＮＥＣ在世界上首次开发了在多引脚、窄间距半导体器件的Ｉ/Ｏ端上与外部电路连接布线技术— 4 0 μｍ的超窄间距键合。近来 ,随着电子器件高性......
据《Solidstate Technology》2003年第3期报道,美国北卡州三角研发园区的Ziptronix公司新开发了不同半导体界面材料的键合技术,将......
温度场是微系统领域中热键合技术的一个关键参量。在激光局部加热键合工程中通过控制激光键合参量可以获得受约束的局部高温分布而......
三,SiP的设计。系统级封装SiP的解决方案,从封装设计的角度观察,工作十分繁重。通常都需要广泛的合作,合作的范围包括IC制造方,封......
报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术 .高反射率的SiO2 /Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上 ,然后键合到InGaAs有......
研究了用Ag-Sn作为键合中间层的圆片健合。相对于成熟的Au-Sn键合系统(典型键合温度是280℃),该系统可以提供更低成本、更高键合后......
新型MEMS应用领域的发展为现有的制造技术带来了很大的挑战,并促使了满足新加工要求的制造能力的发展。根据目前MEMS制造中普遍采......
3D集成技术包括晶圆级、芯片与晶圆、芯片与芯片工艺流程,通过器件的垂直堆叠得到其性能的提升,并不依赖于基板的尺寸和技术。所有......
采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN......
硅基光电子集成技术(PICs)为高速宽带光互连和光通信的发展提供了一种低成本的有效方案,受到人们的高度重视.目前将III-V族和锗等......
本文研究了低温非晶硅/金圆片键合技术.具有不同金硅比的键合片在400℃键合温度和1 MPa键合压力下维持30 min,其键合成功区域均高......
结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的......
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III~V族半导体材料。综述了近期III~V族外延片与SOI(silicon-o......
研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子......
硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高......
着重分析了晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响,并从表面残留颗粒统计意义的角度,得到了一个晶圆键合的判定标准。为了改善键合界面......
GaAs基系Ⅲ-V族化合物太阳电池具有带隙最优、抗辐射能力强、高效率、高温稳定性好和机械强度高等优点,是目前高效太阳电池的研发......
本文针对一种基于蓝宝石敏感结构的光学式超高温压力传感器的核心部件——蓝宝石压力敏感结构封装工艺问题,介绍一种基于原子扩散......
发光二极管(简称LED)是一种固态半导体器件,它可以直接把电能转化为光能。垂直结构LED作为LED中的一种,因其独特的结构优势,具有散......
微型机电系统技术是一个新兴的技术领域。本文介绍了微电子机械系统 (MEMS)的特点和关键技术 ,讨论了MEMS的应用 ,并阐述了MEMS的......
在纽伦堡PCIM Europe2013展会中,英飞凌推出完全符合汽车标准的全新EconoDUAL~TM 3 IGBT模块。这一新产品可满足商用车、工程车、......
CMOS影像技术领先供应商意法半导体与工程基板供应商Soitec宣布两家公司签订一项排他性合作协议。根据此协议,两家公司将合作开发3......
研究了基于Al_2O_3中间层的InP/SOI晶片键合技术。该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al_2O_3作为InP/SOI键合中间层,同时......
基于它的技术优势三维集成技术正在不断地被应用到新的产品中,也包括被应用到消费电子产品里。同时也对许多工艺提出了新的要求,其......
本文给出了当前的IGBT模块封装设计的原则,重点是封装结构和可靠性之间的关系,特别是温度循环性能。复杂的IGBT模块内部含有不同的......
本文比较完整地介绍面键合技术。其中包括铜球焊法、可控塌扁面键合法、多层金属凸点面键合法、单金属硬凸点面键合法(单金属金凸......
日本三菱电机公司生产技术研究所宣布,他们开发了适用于半导体大批量流水生产的铜线键合技术。三菱公司的生产技术研究所,材料研......
为解决pn结隔离器件漏电大、击穿电压低、易受温度影响等一系列因素,本文提出了取代pn结隔离的一种SOG(Silicon-on-Glass)材料,它......
1.氧化钽湿敏薄膜材料的生长技术陈国平、李玲珍、张随新、张浩康、郭跃华、史小军2.场效发光屏用透明导电膜江南、陈国平3.SOI材......
本文介绍键合技术的最新情况,并就其中值得注意的技术动向予以详细评论。
This article introduces the latest developments in ......
本文报道了SOI(Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术,其中包括SiO_2—SiO)2、Si-SiO_2、Si—石英、GaAS—玻璃等的键合......
