报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管（RTD）的研制过程.衬底片选用（001）半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延......

报道了InP衬底AlAs／In0.53Ga0.47As／AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管（RTD）器件的研制．结构材料由分子束外延制备，衬底片为（001）半绝缘InP单......

共振隧穿二极管〔RTD〕是一种新型的基于量子共振隧穿效应的两端高速器件,已经在多态存贮、A/D转换、多值逻辑、分频、倍频等方面......