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随着人们对更高发光效率以及全光谱发光需求的不断提高,对半导体器件的性能要求也越来越高,新型器件结构正在不断涌现。InGaN外延......
本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的"动压力模......
为了实现低功耗的应用,设计了一种增强型InGaAs沟道MOSFET器件,通过改变InGaAs沟道中的In组分和器件掺杂层中的P型掺杂浓度,对器件......
光子增强热电子发射(PETE)全固态太阳能电池是PETE研究的一个重要方向。本文选择P型重掺杂的窄带隙InxGa1-xN材料作为吸收层,N型掺......
分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并入及脱附过程,给出了In并入外延层的效率表达式.依据该表达式,解释了生长速率、生长......
采用多色LED芯片组合可以提供更优质、更稳定、有良好色温可调性的“智能化”白光光源,是白光照明未来的方向,在显示和可见光通信......
本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管（LED）的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明：光谱会随着注入电压......
应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构。测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的......
