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以InGaAlP为代表的四元化合物作为高亮度发光二极管(LED)材料正在引起广泛的重视.该论文针对高亮度发光二极管(LED)器件与材料,利......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗.本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术,例如厚......
本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的"动压力模......
利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长......
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分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并入及脱附过程,给出了In并入外延层的效率表达式.依据该表达式,解释了生长速率、生长......
报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED......
