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直流反应磁控溅射法制备Al-N和In-N共掺p型ZnMgO与ZnO薄膜
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都......
学位
薄膜光学
Al-N
In-N
ZnMgO
ZnO
电学性能
合金薄膜
衬底温度
纤锌矿结构
异质结构
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