InGaNGaN多量子阱相关论文
发光二极管（LED）作为一种新型光源,因其寿命长、功耗低、环境友好等优点,已引起相关研究人员的广泛关注和极大兴趣。根据实现方式的......
作为GaN基发光器件最常用的有源区结构,InGaN/GaN多量子阱结构一直以来都倍受科研工作者们的关注。为了提高InGaN/GaN多量子阱发光......
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱外延结构, 高分辨率X射线衍射测量结果显示, 量子阱结构界......
InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时，垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVC......
蓝宝石(Al_2O_3)上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构是现代蓝色发光二极管(LED)的基础,因其在新一代白光照明中的必要性和在全彩......
商用二维Ga N基薄膜LED外延结构的高位错密度、效率骤降、量子限制斯塔克效应、绿隙等问题严重影响了其在大功率、高亮度及长寿命......
