高分辨X射线衍射相关论文
InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时，垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVC......
氮化镓及其相关的合金半导体材料是替代第一代（Si、Ge）和第二代（In P、Ga As）的第三代化合物半导体之一,由于其更为优异的光电性能,近......
在稀土掺杂的钙钛矿锰氧化物材料中引入人工晶界、铁磁性导体或绝缘体两相结构等方法在一定程度上可以提高材料的低场磁电阻,降低......
采用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)法生长Mg掺杂p型GaN薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术研究不同退火时间对GaN薄膜中外......
为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系......
利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六......
在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射......
在蓝宝石衬底上通过金属有机物化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法外延生长的GaN薄膜具有良好的结......
用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射......
用水溶液生长晶体的方法生长出了不同掺杂的Sr(NO3) 2 晶体 .用电子探针研究了杂质在晶体中的分布情况 .结果表明 ,杂质在晶体中存......
利用助溶剂法 ,已经生长出 15mm× 2 5mm× 6 0mm的大尺寸NdP5O14 (NPP)晶体。用高分辨X射线衍射术对自发应变及铁弹畴结构进行了......
系统研究了纳米量级的多孔 SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响.高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在CaN......
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜,利用高分辨X射线衍射......
利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(>2μm)的一系列不同Al和In含量的AlInG......
使用高分辨X射线衍射法（HRXRD）对金属有机物化学气相沉积（MOCVD）外延生长GaN薄膜进行微结构表征．首先采用绝对测量法精确测试了GaN薄膜......
介绍了目前可用于A1GaN半导体异质外延膜中Al组分含量测定的多种测试技术，包括高分辨x射线衍射技术、光致发光法、紫外一可见光透射......
利用高分辨X射线衍射（HRXRD）技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长的Al组分含量为0.63的AlGaN外延膜进行晶格参......
采用传统降温法生长了一系列的K（H1-xD）2PO4晶体。粉末X射线衍射（XRD）证明氘化后晶体的对称性并没有发生改变，晶胞参数α随氘含量的增加......
采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜，通过卢瑟福背散射／沟道（RBS／C）及高分辨X射线衍射（HR-XRD）技术对不同衬底条件的Z......
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在4H-Si C（0001）面上采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长的Ga N薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对......
通过对常压MOCVD工艺下制备的GaN／Al2O3两种样品的X射线衍射分析，利用不同的掠入射角及倾斜ω扫描，精确测量了GaN薄膜的晶体结构和位......
高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs／InAlAs超晶格材料。通过倒空间ma......
采用高分辨X射线衍射技术对大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体的晶格应变进行了测量,并定量分析了其晶格应力.探讨出KDP晶体容易沿着[001]......
利用氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构GaN膜。采用高分辨X射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱对GaN外延膜进行了结......
本文应用高分辨X射线衍射(HRXRD+TAXRD)技术对外延生长的SrTiO3膜进行了分析,获得了有关该薄膜的晶体取向、衬底的结构特性以及弛......
我们采用高分辨X射线衍射法对SiC单晶片中的多型结构进行了研究,研究发现在以4H-SiC为籽晶的晶体生长过程中,4H-SiC、6H-SiC、15R-......
本文利用高分辨X射线衍射技术，在“点籽晶”快速生长法基础上，研究了掺杂K2SO4对KDP晶体锥面及柱面扇形结构完整性的影响。结果表明，......
采用高压釜法合成了单相、致密的LiInS2多晶原料，采用改进的Bridgman晶体生长技术进行红外非线性光学晶体LiInS2的生长研究，获得了咖......
通过高分辨X射线衍射（HRXRD）技术，对金属有机化合物气相外延（MOCVD）生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向，晶格常数和应力情况，位错密度等......
利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。......
继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后，GaN基材料被誉为第三代半导体材料。它具有禁带宽度宽的特点，电子......
GaN是一种宽禁带半导体材料,在室温下其直接带隙宽度为3.39eV,具有热导率高、耐高温、耐酸碱、高硬度等特性,是第三代半导体的代表......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛应用,成为目......
随着高功率激光系统在受控热核反应、核爆模拟重大技术上的应用,高激光损伤阈值、大口径磷酸二氢钾(KDP)晶体生长与其性能的研究在......
