金属有机化合物化学气相沉积相关论文
AlGaN材料作为第三代半导体材料,在深紫外发光二极管（Deep ultraviolet-Light emitting diodes,DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常......
由于N极性Ⅲ族氮化物材料在自发极化和压电极化方向上同金属极性的Ⅲ族氮化物材料有明显差异,因此N极性Ⅲ族氮化物材料具有如下不......
半极性（11（?）2）面AlGaN材料作为深紫外发光二极管（UV-LED）有源区材料可以有效抑制传统c面AlGaN的量子限制斯托克斯效应（QCSE）,而AlGaN纳米......
随着3D传感和人脸识别技术在手机上的广泛应用,940 nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）作为技术的核心光源,其有低阈值电流、高频调制、二......
选择区域外延生长（SAG）技术是微纳尺度GaN基发光器件的主要制备方法之一。在选择区域外延生长中, Ⅲ族金属原子在掩模介质表面的迁移......
商用二维Ga N基薄膜LED外延结构的高位错密度、效率骤降、量子限制斯塔克效应、绿隙等问题严重影响了其在大功率、高亮度及长寿命......
非极性AlGaN材料在制备深紫外发光二极管方面具有很大的潜力,而非极性(1120)a面AlGaN基多量子阱的制备及理论研究更具有重要的科学......
相比于传统的薄膜外延材料,氮化镓(GaN)微、纳米棒具有较大的比表面积,较低的位错密度以及独立分布生长的特点,在制备高效率,长寿......
近年来,以Ⅲ族氮化物为代表的第三代半导体材料得到了非常迅速的发展,但仍然面临诸多问题,特别对于p型GaN基材料而言,如何得到理想......
三维结构GaN基LED能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题。基于此,本文对三维类金......
用CCI4作为掺杂剂．进行了掺碳AlGaAs层的LP-MOCVD生长．并对其掺杂特性进行了研究．分析了各生长参数对掺杂的影响；研制了碳掺杂AlGaAs限......
设计以TSMF32028335和AD7656为核心的数据采集与处理系统，采用以太网芯片W5300实现开发板与上位机的TCP/IP通信.作为监控端的上位机......
中科院LED照明研究所研制成功LED灯芯片制造的关键设备MOCVD，使我国LED设备制造进入一个新的历史阶段。MOCVD即金属有机化合物化学......
本论文的研究工作是围绕课题组承担的国家973计划项目(No：2010CB327600)、国家863计划项目(No：2009AA03Z417)、国家自然科学基金(No：6......
以乙酰丙酮铱为前驱体，采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术在钼基体上制备了铱薄膜。研究了铱的沉积速率与基体温度、乙酰丙......
第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气......
GaN材料具有禁带宽度大，击穿场强高、热导率高、耐腐蚀和抗辐照的优势。而AlGaN/GaN异质结界面处存在高密度和高迁移率特性的二维电......
近年来AlGaN/Ga N HEMT器件由于其在高频、高压、大功率器件方面表现出的独特优势而受到广泛的关注。AlGaN/GaN HEMT器件的研究水......
GaN半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和速度高、热导率高、临界击穿电压高等优异的材料性能。AlGaN/GaN异质结构由于存在很强的自......
