InGaN量子阱相关论文
现阶段商品化的白光LED以GaN基蓝光LED激发黄色荧光粉的技术方案为主,其优势在于结构简单、价格低廉、制作工艺重复率高。然而其光......
本文主要介绍了GaN基蓝光LED具体生长方法，介绍各参数对产品性能的影响，并介绍了一些提高产品性能的手段： (1)、首先介绍了GaN的基......
本文通过对太阳能电池非平衡系统的细致平衡原理分析，计算了InGaN量子阱太阳能电池的理论效率，并与其它方法得到的计算结果进行了对......
一种特定发光波长（415—425nm）的台阶型InGaN构型量子阱被设计并从理论上进行考察，包括量子阱区域载流子浓度分布、自发辐射复合速率......
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管（LED）。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝......
