La掺杂ZnO相关论文
ZnO是II-VI族直接带隙化合物,具有宽禁带、激子结合能大、耐高温和高稳定性等诸多特性。因其优异的各项性能,使其在半导体发光器件......
ZnO作为一种新型的II-VI族直接禁带半导体材料,在常温常压下具有3.37eV的禁带宽度,60meV的高激子束缚能。凭借优良的物理性能以及......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,构建Zn1-xLaxO(x=0,0.0625,0.125)3种超胞模型。结构优化后,对La掺杂前后体......
采用溶胶-凝胶法制备了不同La掺杂量的La/ZnO催化剂,分析了其组成和性质,以孔雀石绿溶液为染料模型,研究了催化剂的光催化降解性能......
采用密度泛函理论下的平面波超软赝势方法和杂化泛函理论下的模守恒赝势方法,分别计算了未掺杂ZnO和两种La掺杂浓度的ZnO模型,其中......
