ZnO是II-VI族直接带隙化合物,具有宽禁带、激子结合能大、耐高温和高稳定性等诸多特性。因其优异的各项性能,使其在半导体发光器件......

通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2O3衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO......

为了制备结晶质量好的Cu掺杂ZnO薄膜，研究其结构和光学性质，采用脉冲激光沉积方法，在Si衬底上选择不同的衬底温度来制备薄膜。实验成......

利用碳热还原法制备了纳米线结构的Cu掺杂ZnO基稀磁半导体．通过X射线衍射分析表明，样品为纯相ZnO纤锌矿结构．扫描电镜结果表明所生长......

利用溶胶G凝胶法制备了Cu掺杂ZnO纳米晶体薄膜,通过XRD、TEM、AFM、UV-VLS和VSM对其晶体结构、表面形貌、透光性、禁带宽度和磁性......

采用直接沉淀法合成了具有六棱柱形貌的Cu^2＋掺杂ZnO双晶结构材料,研究了Cu^2＋的存在对ZnO双晶的形成及形貌的影响,发现溶液中存在的......

采用基于自旋密度泛函理论的平面波超软赝势方法,研究了Cu掺杂ZnO (简称CuZn)与内在缺陷共存对ZnO电磁光性质的影响.结果表明,Cu是......

微纳米材料的物理化学性质与其成分、形状和尺寸有着密切的关系。目前，对ZnO微纳材料的可控制备、表征与应用研究引起了材料、物理......

ZnO是一种新型的纤锌矿结构Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,所以,ZnO在短波长光电器......

通过溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂ZnO,采用XRD研究了样品结构,测试了样品的室温拉曼散射特性.XRD分析表明,Cu掺入了ZnO晶格中,掺杂没有......