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Li-N-H共掺杂相关论文
ZnO薄膜的N相关掺杂及p-ZnO欧姆接触的研究
ZnO是一种新型的宽禁带氧化物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37 eV,对应近紫外光波段。同时,ZnO具有高达60 me......
学位
ZnO光电半导体材料
p型ZnO薄膜
磁控溅射
金属有机物化学气相沉积
Li-N-H共掺杂
N掺杂
p型欧姆接触
干法刻蚀
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