干法刻蚀相关论文
氮化镓（GaN）是典型的第三代半导体材料,在高频、大功率电子器件以及深紫外光、蓝光、绿光等光电子器件领域中具有十分重要的应用价值......
薄膜和微细加工技术的应用领域极为广泛,从大规模集成电路、电子元器件、平板显示器、信息记录与存储、MEMS、传感器、太阳能电池,......
第三代半导体的代表性材料GaN具有优异的性能,如较大禁带宽度、较高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀、抗辐射等,是制作高频、高温、......
Positioned between front-end and back-endprocessing in semiconductor manufacturing, waferback-side grinding,the core of ......
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺......
分布反馈式(DFB)半导体激光器具有优良的稳定性和单模性, 广泛应用于激光器抽运和光通信等领域。光栅作为DFB激光器的关键部件, 对......
简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技......
采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP......
干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最......
硅基二氧化硅阵列波导光栅是集成化波分复用光网络中的核心器件之一。对其制作工艺的研究对提高器件的性能具有重大意义。提出一种......
采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)......
针对现有微透镜加工方法难以在红外探测器衬底材料CdZnTe上实现大孔径、深浮雕微透镜制备,提出了一种利用ICP-RIE干法刻蚀结合化学......
InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基,Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果......
为使用大面积均匀分布的微球掩模制作纳米柱LED,对胶体微球单层薄膜的自组装技术进行了研究。采用旋涂法、滴定法和气液界面法,对2......
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图......
白光发光二极管(LED)是近年来发展迅速的可见光LED，因其具有节能、高效、寿命长、无污染、瞬时启动和快响应等优点，因此是LED产业中......
利用飞秒激光辅助刻蚀技术,在蓝宝石表面实现了周期、占空比及高度可调的光栅结构。解决了飞秒激光加工硬脆材料时表面质量较差、......
近年来,第三代半导体材料Ga N凭借其禁带宽度大、击穿场强大等优异的材料特性在电力电子等领域中应用广泛。其中,Al Ga N/Ga N异质......
学位
本文讨论工艺技术,以声表面波器件用的微米和亚微米线宽的叉指电极为议题,概括了国外声表面波器件工艺技术的现状,从声表面波器件......
HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示.本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有......
随着MEMS及纳米科技的进步,悬臂梁探针在扫描探针显微镜、隧道传感器、微纳米加工、高密度数据存储中的应用越来越多,微纳米针尖的......
砷化镓纳米线阵列由于其独特的光学和电学性能,以及其在纳米电子学,纳米光学和纳米电池等领域上的相关研究,已引起了广泛的关注。......
微机电系统（MEMS）是以半导体制造为基础的多学科交叉的前沿性技术，具有微型化、集成化和适于批量生产等特点，经过近五十年的高速发展，微......
基于微机电系统(Micro-electro-Mechanical Systems:MEMS)技术的微加热器在气体传感器、红外发射器、气体流量计、微热量计、红外......
本论文研究了图形化蓝宝石衬底GaN基蓝光发光二极管的制备,重点研究了高密度图形化蓝宝石衬底的制备过程中所遇到的问题及其解......
低气压下的容性耦合等离子体(CCP)技术在现代微细加工过程中发挥着重要作用。在半导体工业生产中，需要对薄膜进行各向异性刻蚀。基......
基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离......
台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自......
随着红外探测技术的不断进步,第三代红外探测器的发展需求日渐明晰.由于带间跃迁工作原理、暗电流抑制效应以及成熟的材料制备技术......
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在材料生长和工艺制备方面已取得了巨大的进展,但增强型器件的制备仍是限制其广泛使用的重要......
用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的I......
采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验......
文章研究了采用氩气和氦气作携带气体时气体流量对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响.实验结果表明,当采用氩气作携带......
光子晶体这类新型材料的出现使人们操纵和控制光子的梦想成为可能,全光集成也将会因光子晶体的应用有突破性进展.光子晶体集成能否......
摘要：介绍了TSV技术及其优势，针对TSV中通孔的形成，综述了国内外研究进展，提出了干法刻蚀、湿法刻蚀、激光钻孔和光辅助电化学刻蚀法（ P......
阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个......
对硅的干法刻蚀技术是现代半导体工业中非常重要的一项工艺。本文介绍了如何将硅片干法刻蚀技术引入到设计性、研究性的普通物理实......
报道了碲镉汞（HgCdTe）干法刻蚀诱导损伤的相关研究。由于干法刻蚀过程中，刻蚀剂主要采用CH4/H2，其裂解产生的H容易扩散到材料内部引起......
针对基于外延层转移技术的InP HBT与Si COMS异质集成工艺中的器件互连问题,本文系统性地开展了ICP干法刻蚀BCB(苯并环丁烯)工艺研......
用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb-In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子......
以六氟化硫（SF6）作为刻蚀气体，采用不同的添加气体O2或N2分别进行了SiC薄膜的等离子体刻蚀（PE）工艺研究。实验表明，SF6中加入O2有助于SiC......
采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Ti/Pt/PZT/Ti/Pt形式的拾振器敏感元结构.基于半导体光刻技术,通过干法刻......
