MBE技术相关论文
大型航天器设计-制造-装配是一项复杂且艰巨的系统工程,随着我国航天事业的高速发展,航天器的高性能、高指标需求决定了必须采用先......
会议
本文介绍了基于模型的企业(MBE)技术的演变过程及最新发展动态,以基于模型的定义(MBD)技术作为起点,系统总结了航空产品在设计、制......
半导体量子结构由于其独特的光电特性使得其在各种光电和微电子器件中得到广泛运用，随着对器件性能需求的不断提高，人们开始广泛采用......
随着在远距离通信和网络应用中对光导纤维应用的日趋广泛,人们对能工作在低损耗、低色散区（1.30～1.55μm）且具有高速、高效率的光电探......
超薄量子二维材料具备许多宏观体材料中没有的新颖特性,人们在二维单层石墨烯材料中发现了狄拉克费米子,在类石墨烯材料“硅烯”中......
在ＧａＡｓ衬底上ＭＢＥ生长大失配ＩｎＡｓ薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在ＩｎＡｓ薄膜中得到较高的电子迁移率，掺Ｓｉ样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。......
我们利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在ＧａＡｓ（００１）衬底上生长１．８个原子层的ＩｎＡｓ形成了纳米尺寸的ＩｎＡｓ量子点，对ＩｎＡｓ量子点进行了原了显微镜（ＡＦＭ）测量，得到了量子点的离度和横向尺......
InGaAs/AlGaAs MQW superluminescent LED(SLED) is fabricated by using pulsed anodic oxidation and molecular beam epitaxy(M......
国内外军工企业为适应市场变化和产品创新的需要,企业要求:一方面,将MBD技术拓展到产品研制的管理领域—MBE技术应用;另一方面,可......
