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MIS结构C-t相关论文
MIS结构C-t过程的动力学分析及少数载流子产生寿命空间分布测量
本文对MIS结构的C-t过程作了动力学分析.结果表明:一般情况下,界面态只在界面的耗尽和半导体表面反型的过程中对C-t特性有不可忽视......
期刊
少数载流子
MIS结构C-t
动力学分析
少子
界面态密度
半导体表面
强反型
表面层
分布测量
反型层
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