Recent advances in quantum dots (QDs) for classical and non-classical light sources are presented. We have established m......

AIGaN薄膜是LED结构的重要组成部分.本文报告我们在AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果.......

...

在Si上生长Ⅲ-Ⅴ族半导体，可以用作集成光电器件的材料，备受关注。传统的层状异质结构由于不可避免地面临晶格失配和热失配问题，材料......

利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一......