P型掺杂相关论文
石墨烯作为一种单层碳原子纳米材料，其平面内碳原子以sp~2电子轨道杂化形成二维蜂窝状晶体结构，厚度仅有0.34 nm,具备优异的光电性能......
二维材料的异军突起使其在电子及光电子等领域表现出巨大的应用潜力,其中具有超宽带隙的六方氮化硼的研究更加成为焦点。本论文从......
以二硫化钼（MoS2）为代表的过渡金属硫属化合物（TMDs）,是研究最广泛的层状二维半导体材料体系。它们具有原子级别的厚度、良好的柔韧性......
使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品, 由于存在大量的施主缺陷......
采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法的DMol3软件，对ZnO纳米线表面在非H钝化和H钝化两种情况，及N原子掺入位置不同的情况......
AIGaN薄膜是LED结构的重要组成部分.本文报告我们在AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果.......
AlGaN基深紫外发光二极管(ultraviolet light emitting diodes,UV-LEDs)在消毒、医疗、水与空气净化、高密度存储等方面有着广阔的......
本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯茁-Ga2O3薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂茁-Ga2O3薄膜,研究了薄膜的结构、光学......
ZnO作为第三代半导体功能材料,一直受到国内外的广泛关注。高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。综述了获得p型ZnO薄膜的制......
钙钛矿太阳电池制备工艺简单,效率提升迅速,被认为是最具应用潜力的新一代光伏技术之一.近年来,大量研究表明,钙钛矿光电材料可以......
有机半导体的载流子迁移率远低于无机半导体，这极大地制约了有机半导体器件的发展。在有机半导体器件中，有机电致发光器件(OLED)在信......
随着经济的迅速发展，世界对能源的需求越来越多，能源问题已经是一个世界范围内的问题。传统能源由于种种缺陷且又不可持续，使研究新型......
氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都具有优异的性能，但是最具......
透明导电氧化物(TCO)薄膜因为其良好的光电性能,广泛应用于平面显示器、太阳能电池、节能视窗、透明电磁屏蔽等领域。但由于光电性......
氧化锌（ZnO）是一种宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,具有较大的激子束缚（60meV）,是制备下一代短波长发光二极......
GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学性质，已被广泛用于全彩显示、信息指示和照明领域，成为当今半导体技术发展的热点。目前，G......
过渡金属由于价层d轨道的特殊性导致其氧族化合物半导体材料体系具备多种特殊的物理性质:如铁电性，铁磁性，热电效应，磁电耦和，光电效应......
纤锌矿型的ZnO属于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，是直接宽带隙体系，在室温条件下，带隙宽度为3.37eV,激光束缚能为60meV，约是GaN的2.4倍。本文基于......
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理化学性质，如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应、可n型掺杂也可p型掺......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体材料，有着广泛的应用前景。然而，由于p 型ZnO材料难以获得，使得ZnO的应用范围受到很大限制。因此，如何......
氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,室温下氧化锌的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 me V,远高于室温离化能(26 me V),使得其......
近年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电领域应用的开发研究,制备可靠稳定的低阻p型ZnO薄膜成为研究热点之一。本文论述了p型ZnO薄......
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型......
期刊
基于密度泛函理论（ Density Functional Theory ）的第一性原理平面波超软赝势方法（ USPP），首先对Be、C掺杂AlN的晶格结构进行优化，得到其......
氧化锌是一种在声表面波传感器、压电器件以及太阳能电池等方面具有很好应用前景的材料.介绍了目前制备ZnO薄膜的主要方法,综述了Z......
p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺。使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学......
究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同 Mg掺杂浓度的 Ga N样品薄膜 ,经不同温度退火处理后的发光特性 .实验发现随......
使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品.在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,......
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型......
期刊
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,研究了In、Sc p型掺杂对SrTiO_3母体化合物稳定性、电子结构和光学性质......
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源......
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂......
通过将含有原子数分数为2%锂的Zn-Li合金薄膜和金属锌薄膜在500℃氮气氛中退火2h,然后在700℃氧气氛下退火1h的方法分别制备出ZnO......
分别在空气、氮气和氧气气氛下,用CF3COOH作掺杂剂对三种低聚噻吩的p型掺杂行为进行了系统研究.结果发现三聚噻吩(a-Th3)在本试验......
利用等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石衬底上制备了氮掺杂的p型ZnO薄膜.通过变温霍尔测量研究了空穴浓度和迁移率随......
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜,以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型......
期刊
利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄......
利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测......
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了......
采用超声喷雾热分解法在石英衬底上以醋酸锌水溶液为前驱体,以硝酸银水溶液为Ag掺杂源生长了Ag掺杂ZnO(ZnO:Ag)薄膜.研究了衬底温......
氧化锌（ZnO）作为一种新型的直接宽带隙半导体材料,室温下其禁带宽度约为3.37 eV,且具有较大的激子束缚能（60 meV）和极其优异的光电性能......
通过第一性原理方法计算了未掺杂、N单掺和N-S共掺ZnO的电子结构.对态密度的计算发现,N单掺时会在价带顶费米能级附近形成一个局域......
对InSb分子束外延薄膜的本征掺杂、N型掺杂以及P型掺杂进行了研究,其中分别以Be作P型以及以Si、Te作N型的掺杂剂。实验采用半绝缘......
氧化锌（ZnO）具有适合基于pn结的各种光电器件，例如紫外光子探测器、发光二极管和激光二极管等应用的理想性质。虽然多年来已可获得高......
