电流崩塌相关论文
近年来,GaN高电子迁移率晶体管（GaN HEMT,GaN High Electron Mobility Transistor）已被广泛地应用于各大新兴半导体发展领域,如快速......
氮化镓（Gallium Nitride,GaN）高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor,HEMT）作为宽禁带半导体器件,在工作电压、开关频......
研究了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的温度特性,分析了自热效应造成GaN HEMT的电流崩塌现象.提出了一种图形化衬底技术来降......
针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子......
通过对AlGaN/GaNHEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaNHEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从......
期刊
AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个......
通过自洽求解一维Poisson-Schrodinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电......
研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的A1GaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46......
在不同的漏偏压下,研究了钝化和不同场板尺寸AlGaN/GaNHEMT对电流崩塌的抑制能力.实验结果表明,钝化器件对电流崩塌的抑制能力随着......
期刊
电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一，国内外都有研究，但尚无统一结论。通过实验，研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象......
通过对AlGaN／GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试，发现栅脉冲相同时，HEMT开启时间在线性区随VDS增加而增加，而在饱和区随VDS增加......
采用脉冲测试方法研究了与GaN基HEMT电流崩塌相关的表面陷阱效应。对特制的无台面器件进行的实验证实了表面陷阱之间存在输运过程......
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF。等离子体处理对AlGaN／GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道......
在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发......
设计了一种实验方法用以研究AlGaN／GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响，该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得......
基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流......
通过实验测量对AlGaN／GaNHEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究．AlGaN／GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得．文章综合考虑了钝......
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发，研究了纵、横向电场作用下GaNHFET沟道中的电子态和夹断特性。建立了不同异质结构和电场......
研究了GaN HFET中沟道热电子隧穿到表面态及表面态电子跃迁到表面导带两种跃迁过程及其激活能．从沟道热电子隧穿过程出发，提出了新的......
提出了氮化物表面强极化电荷产生薄吸附层形成的二维表面态新模型．从薛定谔方程和泊松方程的自洽计算中得到了新的二维表面态．计算了......
研究了GaN基外延材料对Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的对应......
基于特制的无台面AlGaN／GaN HEMT，设计了一种实验方法，用以研究AlGaN／GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实，在器件电流崩塌......
介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN／GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后，器件......
讨论了Ⅲ族氮化物HFET中电流崩塌和沟道内二维电子气特性间的关联,提出了描述产生电流崩塌时电子动态运动的微观模型.栅延迟电流崩......
基于实验测试数据，综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌Ⅰ-Ⅴ曲线变化差异。研究表明：在脉冲测试条件下，RS增大，栅下沟道开启......
在综述大功率AlGaN/GaN HFET性能退化实验结果的基础上,研究了器件退化与电流崩塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和......
针对GaN HEMT电流崩塌物理效应，测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23．8％，且随着栅脉冲宽度减......
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气（2DEG）和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力......
由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,......
研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的......
介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变......
由于氮化镓基材料具有高迁移率、高电子饱和速率以及高击穿场强的特点,使得氮化镓基HEMT器件在毫米波功率器件和集成电路领域具有......
介绍了原子层沉积系统(ALD)的原理、结构,以及它和不同薄膜生长设备相比所具有的特点。分析了影响ALD设备工艺性能的主要因素。在......
GaN HEMT器件经过钝化后,抑制电流崩塌效应明显,但同时产生其他负面效应,为了改善目前GaN HEMT钝化后漏电增加和击穿电压减小等情......
期刊
采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的InGAlN/GaNHEMT器件的电流崩塌效应进行了研究.实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特......
由于GaN基材料的宽禁带、高饱和电子漂移速度和高击穿场强等优良特性,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管得到了广泛关注和迅猛的发展。......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、高击穿电场、高耐热性、高抗辐射能力等突出优势,这些特......
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高电子迁移率、高电流密度及高耐压等突出特性而受到广泛关注,成为电力电子器件的一个重要......
研究不同界面处理对AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器......
对新型常通型GaN HEMT器件的特性和参数进行了研究。阐述了其静态和动态特性以及电流崩塌问题。针对其动态特性,与相近定额的Si MO......
期刊
相比于其他很多半导体材料,GaN材料具有很大的带隙宽度、较大的饱和漂移速度、不错的热稳定性,高击穿电场等特征,这使得它能够被很......
第三代半导体材料GaN由于具有击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等优良特点,因此相关器件在高温、大功率应用方面具有非常......
3射频电流崩塌模型目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模型,即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱俘获,耗尽了沟道电子气......
无线通讯技术的迅猛发展对功率放大器功率、频率、高温特性提出了更高的要求,第三代(宽禁带)半导体材料GaN以其优异的电学特性使得......
以GaN为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场强、电子饱和速度大、化学稳定性好、热稳定性好以及抗辐射等优良特性,非常适......
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）是近年来迅速发展起来的第三代新型半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，GaN基器件耐高温、高压、高......
宽禁带半导体材料GaN不仅具有临界击穿电场高、电子饱和速率大等特点，而且AlGaN/GaN异质结可形成高电子迁移率、高浓度的二维电子气......
GaN基HEMT器件具有较宽的禁带，高二维电子气浓度，高电子迁移率以及高击穿电压等特性因而在高微波功率器件上有着极大的应用潜力。为......
