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为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件......
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SOI技术的研究是微电子领域发展的前沿课题，SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点，被誉为“21世纪的硅集成电路技术......
本文提出一种沟道长度为0.125μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构。在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)......
