自加热效应相关论文
随着功率半导体器件发展到深亚微米时代,传统体硅材料已经接近物理极限,SOI（Silicon on Insulator）的出现改善了体硅材料的不足,同时......
针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子......
在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效......
为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80 μ......
氧化钨是一类非常重要的光学材料，具有热致变色，光致变色，电致变色，气致变色等特性，以及在节能环保，气敏传感，光催化，光电转换，超导，负胶材料......
SOI材料可成功的应用于微电子的大多数领域,但由于其SiO绝缘埋层的自热效应,使其在高温高功率器件中的应用受到局限.科学家们已经......
SOI(Silicon-on-Insulator)材料,即绝缘体上的硅材料,被国际上公认为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它能突破体硅材料的诸......
MOS器件的自加热效应将影响器件的性能.漏极电流将减小,长时间的可靠性也会受到影响.在SOI器件中,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的......
首先介绍了LPIND(Lateral Positive-Intrinsic-Negative Diode)及其在硅基等离子天线方面的应用,并对LPIND进行建模,仿真分析了不......
针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题，提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点，对抑制自加热效应原理进行了新的解析，根......
从器件I-V特性的角度，表征了射频功率异质结双极晶体管（HBT）的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性......
采用有限元分析方法（FEM）求解泊松方程，连续性方程，以及热传导方程对A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管的自加热效应进行了数值模拟研究。着......
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评......
与常规体硅器件相比，SOI器件由于其独特的结构，常常会产生较严重的自加热效应，影响器件的可靠性。文中阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自......
该文从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发,采用商用TCAD软件建立AlGaN/GaNHEMT器件二维模型。针对自加热效应,在不同的直流偏......
提出一种图形化SOI LDMOSFET结构，埋氧层在器件沟道下方是断开的，只存在于源区和漏区．数值模拟结果表明，相对于无体连接的SOI器件，此结......
分析了自加热效应对SON器件性能的影响，并与SOI器件进行了比较，提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应，分析了不同通路情......
在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬......
SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性，使......
为了消除大功率场效应晶体管静态测量时的自加热效应对器件测量结果的影响，提出了一种基于Sagittarius实验测量操作平台设计的新型......
通过具有埋氧化层热阻影响和无此影响的薄膜ＳＯＩＬＤＭＯＳ的电热模拟对比，了二氧化硅低热导率对器件温度分布及Ｉ－Ｖ特性的应用。首次表征了仅由埋氧化......
对SOI技术的发展情况进行了概述。在此基础上,提出了新形势下SOI技术的发展思路。为了充分发挥SOI技术的优势,主要的思路是对影响......
SOI器件具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等体硅器件不具备的优点，SOICMOS技术开始用于深亚微米高速、低功耗、低电压大规模......
主要研究在大功率工作条件下的带封装的GaN HEM T器件自加热效应。当封装GaN HEM T 器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应......
研究环境温度(40℃、25℃、0℃和-15℃)对锂离子电池组(102 Ah、30.8 kWh)在新标欧洲循环(NEDC)工况下放电性能的影响。锂离子电池......
本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述......
本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构.工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热......
探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。传统SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层，由于氧化硅的低热导率而使SOI器件／电路存在自加热......
集成电路从微电子发展到微纳电子时代,SOI技术以其优于体硅的高性能、全集成、低功耗、低成本的诸多优势成为取代现有体硅材料的核......
集成电路正在从微电子时代发展到微纳电子时代,现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限,遇到了严峻的挑战,必须在材料和技术上......
SOI技术的研究是微电子领域发展的前沿课题，SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点，被誉为“21世纪的硅集成电路技术......
SOI材料可成功的应用于微电子的大多数领域，但由于其SiO2绝缘埋层的自热效应，使其在高温高功率器件中的应用受到局限。科学家们已经......
硅基集成电路不能胜任高温工作环境，其高温工作上限一般为125℃。而基于SOI材料及其结构的器件．能突破高温的限制。介绍了SOI材料结......
为了减小绝缘层上硅锗(SGOI)自加热和短沟道效应,提出新型的双台阶式埋氧SGOI n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET).在该器......
随着功率集成电路飞速发展,功率半导体器件的研究与开发显得愈发重要。LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET)是DMOS器件的一种横......
提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型。LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电......
本论文主要研究了n型多晶硅薄膜晶体管在动态电应力下的器件退化。主要包括栅漏端同步脉冲应力下的器件退化特性与机制研究、漏端......
SOI(silicon On Insulator,绝缘体上硅)技术从20世纪60年代开始受到关注,80年代以后又有了较大的发展,90年代后期进入部分商用领域......
随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展，集成电路也逐步从微电子时代发展到微......
随着体硅CMOS技术的发展,需要从材料选用、器件结构以及加工技术等各个方面进行创新,其中以应变硅为代表的沟道高迁移率增强技术,......
LDMOS器件具有耐高压、驱动能力强和易与CMOS工艺技术兼容等优点,因而在开关电源、汽车电子、工业控制、家用电器等领域得到了广泛......
得益于异质结结构,AlGaN/GaN HEMT成为当前最具发展潜力的射频、微波器件之一。因其大电流增益、高截止频率、强驱动能力、低相位......
随着芯片设计进入超深亚微米和纳米技术领域,芯片的集成度越来越大,布线层数越来越多,P/G网的规模日益庞大复杂,P/G网上承载的电流......
多晶硅薄膜晶体管技术在液晶显示器制造中扮演着很重要的角色,它增进了同时将有源矩阵及周边电路整合在一起的能力。然而,多晶硅薄......
SOI器件由于具有寄生电容小、易形成浅结、可以避免闩锁效应、良好的电学特性等优点,成为深亚微米工艺中极具潜力的一种技术。但是......
集成电路进入深亚微米以后,传统的体硅CMOS寄生效应和迁移率不匹配问题亟待解决,针对体硅中器件尺寸缩小引起的寄生效应,可以采取S......
SOI CMOS电路因具有低结电容、二级效应小以及无热激发闩锁效应等优点,现已广泛的应用于高速低功耗IC设计领域。但由于SOI结构中的......
利用Silvaco软件模拟全耗尽SOI n沟道MOSFET器件的自加热效应。在温度300～500K、栅偏压2～10V范围内研究了该器件的ID-VD特性和器件的......
