本文研究了Ti/Pt／Au多层金属结构与n-GaN的电学接触热稳定特性。将样品在氮气保护下选择不同温度快速热退火10分钟，并运用圆形传输线......

采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反......

研究了在垂直结构发光二极管(VLED)器件中,光致电化学法(PEC)刻蚀N极性n-Ga N的速率受不同刻蚀条件(刻蚀浓度、刻蚀时间和光照强度......

本文研究了表面处理对n-GaN上无合金化的Ti/Al电极起的作用,比较了(NH4)2Sx和CH3CSNH2两种不同的表面处理方法.在用CH3CSHN2/NH4OH......

使用干法刻蚀在GaN LED晶片上刻蚀n区，用电子束蒸发方法在n型GaN表面上淀积Ti／Al双金属层作为接触电极，在N_2环境中进行退火．探讨不同......