NPN管相关论文
提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电......
通过对P沟结型场效应管(PJFET)与双极电路兼容的工艺技术攻关,解决了PJFET与双极电路兼容的技术难点,研制出一种偏置电流小的P沟结型场......
研究了NPN双极晶体管和NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应.研究表明,NPN管在低剂量率辐照下,电流增益衰降更为显著,且具有......
通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究,解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点,得到了IDSS=150-350μA(W/L=10:1)、Vp=0.8~1.2V、IGSS=10^-......
对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的60Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退......