提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电......

研究了NPN双极晶体管和NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应.研究表明,NPN管在低剂量率辐照下,电流增益衰降更为显著,且具有......

通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究，解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点，得到了IDSS=150-350μA（W／L=10：1）、Vp=0．8～1．2V、IGSS=10^-......

为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下60Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火......

对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准（DPSA）结构的NPN管进行了高、低剂量率的60Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退......