辐照偏置相关论文
介绍了SOI MOS单管三种总剂量辐照偏置条件，及其对器件阈值电压漂移的影响。指出埋氧层加固是抗总剂量的重要技术手段。采用抗辐照......
对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂......
该文对比了加固ＭＯＳＦＥＴ在不同偏置条件下的总剂量辐照响应特性和退火特性，特别是对辐照偏置和退火偏置对器件电离辐射损伤的相互作用关系进......
在室温条件下，研究了辐照偏置、总剂量和剂量率对ＰＭＯＳ剂量计辐照剂量记录－阈值的稳定性影响，观察了辐照后阈值在不同栅偏条件下的变化趋势......
针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表......
本文主要讨论n(100)硅栅MOS样品在~(60)Coγ射线辐照下,氧化层电荷ΔD_(ot)、Si-SiO_2界面态密度ΔD_(tt)和界面态密度的能级分布......
对不同辐照偏置条件下,总剂量辐射对高速CMOS电路54HC04时间参数的影响进行了探讨,并与相应的直流参数的响应特性进行了对比,研究......
针对空间辐射环境下应用的双极型器件抗辐射能力与地面高剂量率辐照模拟试验所获得器件的抗辐照水平存在差异，在地面利用60Co辐射源......
由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的......
针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器，开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明......
对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过......
总剂量效应代表着一种全局性的作用机制，考察集成电路所受到的辐照损伤时，单纯依靠试验测试仅能获取宏观电学参数的变化，难以定位出具......
